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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RA-10-B | DBLECTRO |
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RIGHT ANGLE TYPE DIP SWITCH |
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| RA-10-B-T | DBLECTRO |
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RIGHT ANGLE TYPE DIP SWITCH |
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| RA-10-K | DBLECTRO |
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RIGHT ANGLE TYPE DIP SWITCH |
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| RA-10-K-T | DBLECTRO |
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RIGHT ANGLE TYPE DIP SWITCH |
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| RA-10-R | DBLECTRO |
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RIGHT ANGLE TYPE DIP SWITCH |
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| RA-10-R-T | DBLECTRO |
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RIGHT ANGLE TYPE DIP SWITCH |
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| RA110075B4MNP | VISHAY |
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Tantalum Capacitor, Polarized, Tantalum, 75V, 20% +Tol, 20% -Tol, 1100uF |
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| RA110C | ETC |
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TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236 |
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| RA110Q | ETC |
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TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-236VAR |
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| RA110S | ETC |
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TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | TO-92VAR |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
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