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| 生命周期： | Transferred | 包装说明： | , |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.74 |
| 标称电路换相断开时间： | 15 µs | 关态电压最小值的临界上升速率： | 50 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 300 mA | 最大直流栅极触发电压： | 3 V |
| 最大维持电流： | 1000 mA | 最大漏电流： | 100 mA |
| 通态非重复峰值电流： | 17000 A | 最大通态电压： | 2.18 V |
| 最大通态电流： | 1510000 A | 最高工作温度： | 125 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 断态重复峰值电压： | 800 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| R350CH08EJ0 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,800V V(DRM),1.51KA I(T),TO-200A |
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| R350CH08EJ5 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 2496 A, 800 V, SCR |
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| R350CH08EJ6 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 2496 A, 800 V, SCR |
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| R350CH08EJ7 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 2496A I(T)RMS, 800V V(DRM), 560V V(RRM), 1 Element |
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| R350CH08EJ9 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 2496A I(T)RMS, 800V V(DRM), 720V V(RRM), 1 Element |
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| R350CH08EJO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1902.84A I(T)RMS, 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Element |
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| R350CH08EK4 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 2496A I(T)RMS, 800V V(DRM), 320V V(RRM), 1 Element |
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| R350CH08EK6 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2496 A, 800 V, SCR |
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| R350CH08EK8 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 2496A I(T)RMS, 800V V(DRM), 640V V(RRM), 1 Element |
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| R350CH08EK9 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 2496A I(T)RMS, 800V V(DRM), 720V V(RRM), 1 Element |
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