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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.74 | 应用： | GENERAL PURPOSE |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1.34 V |
| JEDEC-95代码： | DO-200AB | JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 |
| 最大非重复峰值正向电流： | 19000 A | 元件数量： | 1 |
| 相数： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最大输出电流： | 1470 A |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 600 V |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| R34B6APBF | INFINEON |
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暂无描述 |
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| R34B8A | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1340A, 800V V(RRM), Silicon, DO-200AB, |
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| R34B8B | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1260A, 800V V(RRM), Silicon, DO-200AB, |
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| R34BF10A | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 520A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-200AB, |
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| R34BF10B | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 520A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-200AB, |
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| R34BF12A | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 520A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-200AB, |
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| R34BF12B | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 520A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-200AB, |
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| R34BF16A | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 480A, 1600V V(RRM), Silicon, DO-200AB, |
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| R34BF16B | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 480A, 1600V V(RRM), Silicon, DO-200AB, |
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| R34BF18A | INFINEON |
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Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 430A, 1800V V(RRM), Silicon, DO-200AB, |
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