5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| R34B8B | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1260A, 800V V(RRM), Silicon, DO-200AB, |
|
| R34BF10A | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 520A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-200AB, |
|
| R34BF10B | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 520A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-200AB, |
|
| R34BF12A | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 520A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-200AB, |
|
| R34BF12B | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 520A, 1200V V(RRM), Silicon, DO-200AB, |
|
| R34BF16A | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 480A, 1600V V(RRM), Silicon, DO-200AB, |
|
| R34BF16B | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 480A, 1600V V(RRM), Silicon, DO-200AB, |
|
| R34BF18A | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 430A, 1800V V(RRM), Silicon, DO-200AB, |
|
| R34BF18B | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 430A, 1800V V(RRM), Silicon, DO-200AB, |
|
| R34BF20B | INFINEON |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 430A, 2000V V(RRM), Silicon, DO-200AB, |
|
塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
