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R220CH12FK7

更新时间: 2024-11-21 20:56:07
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IXYS 栅极
页数 文件大小 规格书
5页 272K
描述
Silicon Controlled Rectifier, 1950A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 840V V(RRM), 1 Element, TO-200AC

R220CH12FK7 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:DISK BUTTON, O-CEDB-N2
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.30.00.80
风险等级:5.84Is Samacsys:N
其他特性:FAST标称电路换相断开时间:20 µs
配置:SINGLE关态电压最小值的临界上升速率:200 V/us
最大直流栅极触发电流:300 mA最大直流栅极触发电压:3 V
JEDEC-95代码:TO-200ACJESD-30 代码:O-CEDB-N2
元件数量:1端子数量:2
封装主体材料:CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED封装形状:ROUND
封装形式:DISK BUTTON认证状态:Not Qualified
最大均方根通态电流:1950 A重复峰值关态漏电流最大值:70000 µA
断态重复峰值电压:1200 V重复峰值反向电压:840 V
表面贴装:YES端子形式:NO LEAD
端子位置:END触发设备类型:SCR
Base Number Matches:1

R220CH12FK7 数据手册

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