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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | FAST | 标称电路换相断开时间： | 30 µs |
| 配置： | SINGLE | 关态电压最小值的临界上升速率： | 100 V/us |
| 最大直流栅极触发电流： | 300 mA | 最大直流栅极触发电压： | 3 V |
| JEDEC-95代码： | TO-200AC | JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 1950 A | 重复峰值关态漏电流最大值： | 70000 µA |
| 断态重复峰值电压： | 1200 V | 重复峰值反向电压： | 720 V |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | NO LEAD |
| 端子位置： | END | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| R220CH12EH9 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1950 A, 1200 V, SCR, TO-200AC |
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| R220CH12EHO | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1950 A, 1200 V, SCR, TO-200AC |
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| R220CH12EJ0 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),1.135KA I(T),TO-20 |
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| R220CH12EJ3 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1950 A, 1200 V, SCR, TO-200AC |
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| R220CH12EJ5 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1950 A, 1200 V, SCR, TO-200AC |
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| R220CH12EJ6 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1950A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 720V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
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| R220CH12EJ7 | IXYS |
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Silicon Controlled Rectifier, 1950A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 840V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
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| R220CH12EJ8 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1950A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 960V V(RRM), 1 Element, TO-200A |
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| R220CH12EJ9 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 1950A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1080V V(RRM), 1 Element, TO-200 |
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| R220CH12EK0 | IXYS |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, SILICON CONTROLLED RECTIFIER,1.2KV V(DRM),1.135KA I(T),TO-20 |
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