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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TSOP(2) |
| 包装说明： | SOP, | 针数： | 44 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.77 |
| 最长访问时间： | 12 ns | JESD-30 代码： | R-PDSO-G44 |
| 内存密度： | 4194304 bit | 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM |
| 内存宽度： | 16 | 功能数量： | 1 |
| 端子数量： | 44 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 256KX16 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | SOP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 并行/串行： | PARALLEL |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 4.5 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| R1RW0404D | RENESAS | 4M HIGH SPEED SRAM (1-MWORD X 4-BIT) |
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| R1RW0404DGE-2LR | RENESAS | 4M HIGH SPEED SRAM (1-MWORD X 4-BIT) |
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| R1RW0404DGE-2PR | RENESAS | 4M HIGH SPEED SRAM (1-MWORD X 4-BIT) |
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| R1RW0408D | RENESAS | 4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit) |
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| R1RW0408DGE-0PR | RENESAS | 512KX8 STANDARD SRAM, 12ns, PDSO36, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-36 |
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| R1RW0408DGE-2LR | RENESAS | 4M High Speed SRAM (512-kword x 8-bit) |
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