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R1331NC10D

更新时间： 2024-09-26 14:56:59
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE /
页数 文件大小 规格书
13页 1120K
描述
Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。 这些器件的阻断电压最高可达4.5kV，平均电流超过5kA，额定tq最低为10μs。 独特的分布式门极设计和寿命控制功能使这些器件既具有

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R1331NC10D 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.69标称电路换相断开时间：20 µs
关态电压最小值的临界上升速率：200 V/us最大直流栅极触发电流：300 mA
最大直流栅极触发电压：3 V最大维持电流：1000 mA
最大漏电流：150 mA通态非重复峰值电流：20000 A
最大通态电流：2191000 A最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C断态重复峰值电压：1000 V
子类别：Silicon Controlled Rectifiers触发设备类型：SCR
Base Number Matches：1

R1331NC10D 数据手册

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Date:- 01 August 2012  
Data Sheet Issue:- 2  
Distributed Gate Thyristor  
Type R1331NC10x to R1331NC12x  
Absolute Maximum Ratings  
MAXIMUM  
LIMITS  
VOLTAGE RATINGS  
UNITS  
VDRM  
VDSM  
VRRM  
VRSM  
Repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak off-state voltage, (note 1)  
Repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
Non-repetitive peak reverse voltage, (note 1)  
1000-1200  
V
V
V
V
1000-1200  
1000-1200  
1100-1300  
MAXIMUM  
LIMITS  
1331  
OTHER RATINGS  
UNITS  
IT(AVM)  
IT(AVM)  
IT(AVM)  
IT(RMS)  
IT(d.c.)  
ITSM  
Maximum average on-state current, Tsink=55°C, (note 2)  
Maximum average on-state current. Tsink=85°C, (note 2)  
Maximum average on-state current. Tsink=85°C, (note 3)  
Nominal RMS on-state current, Tsink=25°C, (note 2)  
D.C. on-state current, Tsink=25°C, (note 4)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, Vrm=0.6VRRM, (note 5)  
Peak non-repetitive surge tp=10ms, Vrm£10V, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, Vrm=0.6VRRM, (note 5)  
I2t capacity for fusing tp=10ms, Vrm£10V, (note 5)  
Critical rate of rise of on-state current (repetitive), (Note 6)  
Critical rate of rise of on-state current (non-repetitive), (Note 6)  
Peak reverse gate voltage  
A
A
878  
503  
A
2687  
A
2191  
A
18.2  
kA  
kA  
A2s  
A2s  
A/µs  
A/µs  
V
ITSM2  
I2t  
20.0  
1.66×106  
2.0×106  
1000  
I2t  
(di/dt)cr  
1500  
VRGM  
PG(AV)  
PGM  
5
Mean forward gate power  
5
W
Peak forward gate power  
30  
W
Tj op  
Operating temperature range  
-40 to +125  
-40 to +150  
°C  
°C  
Tstg  
Storage temperature range  
Notes:-  
1) De-rating factor of 0.13% per °C is applicable for Tj below 25°C.  
2) Double side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
3) Single side cooled, single phase; 50Hz, 180° half-sinewave.  
4) Double side cooled.  
5) Half-sinewave, 125°C Tj initial.  
6) VD=67% VDRM, IFG=2A, tr£0.5µs, Tcase=125°C.  
Data Sheet. Type R1331NC10x to R1331NC12x Issue 2  
Page 1 of 12  
August 2012  
1234567...13

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与R1331NC10D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
R1331NC12D LITTELFUSE

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 		Littelfuse是分布式门极技术领域公认的全球领先公司。 这些器件的阻断电压最高可达4
R1331NS10A IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 2687A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element
R1331NS10B IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 2687A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element,
R1331NS10C IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 2687A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element,
R1331NS10D IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 2687A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element,
R1331NS12A IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 2687A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element
R1331NS12B IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 2687 A, 1200 V, SCR
R1331NS12C IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 2687A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element,
R1331NS12D IXYS

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 		Silicon Controlled Rectifier, 2687A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element,
R1332 ETC

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 		Optoelectronic

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