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QS7026A-20J

更新时间: 2024-11-21 20:58:23
品牌 Logo 应用领域
罗彻斯特 - ROCHESTER 静态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
23页 1281K
描述
16KX16 DUAL-PORT SRAM, 20ns, PQCC84

QS7026A-20J 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:ActiveReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.88最长访问时间:20 ns
其他特性:SEMAPHOREJESD-30 代码:S-PQCC-J84
JESD-609代码:e0内存密度:262144 bit
内存集成电路类型:DUAL-PORT SRAM内存宽度:16
湿度敏感等级:NOT SPECIFIED功能数量:1
端子数量:84字数:16384 words
字数代码:16000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16KX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:SQUARE封装形式:CHIP CARRIER
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
认证状态:COMMERCIAL最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:TIN LEAD
端子形式:J BEND端子位置:QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIEDBase Number Matches:1

QS7026A-20J 数据手册

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