生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | DIP |
包装说明: | PLASTIC, DIP-40 | 针数: | 40 |
Reach Compliance Code: | unknown | HTS代码: | 8542.31.00.01 |
风险等级: | 5.82 | 具有ADC: | NO |
其他特性: | BOOLEAN PROCESSOR; EMULATION HARDWARE | 地址总线宽度: | 16 |
位大小: | 8 | 边界扫描: | NO |
最大时钟频率: | 12 MHz | DAC 通道: | NO |
DMA 通道: | NO | 外部数据总线宽度: | 8 |
格式: | FIXED POINT | 集成缓存: | NO |
JESD-30 代码: | R-PDIP-T40 | 长度: | 52.26 mm |
低功率模式: | YES | DMA 通道数量: | |
外部中断装置数量: | 2 | I/O 线路数量: | 32 |
串行 I/O 数: | 1 | 端子数量: | 40 |
计时器数量: | 2 | 片上数据RAM宽度: | 8 |
片上程序ROM宽度: | 8 | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | PWM 通道: | NO | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | DIP |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | IN-LINE |
认证状态: | Not Qualified | RAM(字数): | 128 |
ROM(单词): | 4096 | ROM可编程性: | OTPROM |
座面最大高度: | 5.08 mm | 速度: | 12 MHz |
最大压摆率: | 20 mA | 最大供电电压: | 6 V |
最小供电电压: | 4 V | 标称供电电压: | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子节距: | 2.54 mm | 端子位置: | DUAL |
宽度: | 15.24 mm | uPs/uCs/外围集成电路类型: | MICROCONTROLLER |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
QP87C51-20 | INTEL |
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Microcontroller, 8-Bit, OTPROM, 20MHz, CMOS, PDIP40, PLASTIC, DIP-40 | |
QP87C51-3 | INTEL |
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Microcontroller, 8-Bit, OTPROM, 24MHz, CMOS, PDIP40, PLASTIC, DIP-40 | |
QP89027 | ETC |
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MODEM CIRCUIT|ANALOG FRONT END|CMOS|DIP|28PIN|PLASTIC | |
QPA0363A | QORVO |
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DC â 5000 MHz Cascadable SiGe HBT Amplifier | |
QPA0363APCK401 | QORVO |
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DC â 5000 MHz Cascadable SiGe HBT Amplifier | |
QPA0363ASQ | QORVO |
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DC â 5000 MHz Cascadable SiGe HBT Amplifier | |
QPA0363ASR | QORVO |
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DC â 5000 MHz Cascadable SiGe HBT Amplifier | |
QPA0363ATR7 | QORVO |
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DC â 5000 MHz Cascadable SiGe HBT Amplifier | |
QPA1001 | TRIQUINT |
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3.1 â 3.5 GHz 60 Watt GaN Power Amplifier | |
QPA1001 | QORVO |
获取价格 |
3.1 â 3.5 GHz 60 Watt GaN Power Amplifier |