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QID1210005

更新时间： 2024-02-26 15:23:43

品牌	Logo	应用领域
POWEREX		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	790K
描述
Split Dual Si/SiC Hybrid IGBT Module 100 Amperes/1200 Volts

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技术参数
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QID1210005 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X20	针数：	20
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	外壳连接：	ISOLATED
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-XUFM-X20	元件数量：	2
端子数量：	20	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

QID1210005 数据手册

Powerex, Inc., 173 Pavilion Lane,Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 www.pwrx.com

QID1210005

Split Dual Si/SiC Hybrid IGBT Module

100 Amperes/1200 Volts

FREE-WHEEL SCHOTTKY DIODE

FORWARD CHARACTERISTICS

(TYPICAL)

FREE-WHEEL SCHOTTKY DIODE

REVERSE CHARACTERISTICS

(TYPICAL)

160

128

1600

1280

960

640

320

T = 25°C

T = 75°C

T = 175°C

T = 125°C

T = 175°C

T = 125°C

T = 75°C

T = 25°C

500

1000

1500

2000

FORWARD VOLTAGE, V , (VOLTS)

REVERSE VOLTAGE, V , (VOLTS)

HALF-BRIDGE

SWITCHING CHARACTERISTICS

(TYPICAL)

CAPACITANCE VS. V

(TYPICAL)

10²

10¹

10⁰

10^-1

10³

10²

= 0V

ies

TBD

10¹

oes

= 600V

= 15V

= 3.1Ω

T = 125°C

res

Inductive Load

10⁰

10^-1

10⁰

10¹

10²

10¹

10²

10³

COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE, V , (VOLTS)

COLLECTOR CURRENT, I , (AMPERES)

12/12 Rev. 2

1 2 3 456 7

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