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QID1210005

更新时间： 2024-02-22 05:29:58

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POWEREX		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	790K
描述
Split Dual Si/SiC Hybrid IGBT Module 100 Amperes/1200 Volts

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技术参数
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QID1210005 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	MODULE
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-XUFM-X20	针数：	20
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.72	外壳连接：	ISOLATED
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
JESD-30 代码：	R-XUFM-X20	元件数量：	2
端子数量：	20	封装主体材料：	UNSPECIFIED
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
极性/信道类型：	N-CHANNEL	表面贴装：	NO
端子形式：	UNSPECIFIED	端子位置：	UPPER
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

QID1210005 数据手册

Powerex, Inc., 173 Pavilion Lane,Youngwood, Pennsylvania 15697 (724) 925-7272 www.pwrx.com

QID1210005

Split Dual Si/SiC Hybrid IGBT Module

100 Amperes/1200 Volts

Reverse Schottky Diode Characteristics, T = 25 °C unless otherwise speciﬁed

Characteristics

Symbol

Test Conditions

I = 80A, V = -5V

Min.

—

Typ.

1.6

Max.

2.0

Units

Volts

μA

Diode Forward Voltage

= 80A, V

= -5V, T = 175°C

—

2.5

3.2

Diode Reverse Current

Diode Capacitive Charge

= 1200V

—

140

260

520

800

1600

—

= 1200, T = 150°C

—

μA

= 1200V, I = 80A, di/dt = 800A/μs

—

Thermal and Mechanical Characteristics, T = 25 °C unless otherwise speciﬁed

Characteristics

Symbol

Test Conditions

Min.

Typ.

Max.

Units

Thermal Resistance, Junction to Case

th(j-c)

Per IGBT 1/2 Module,

Reference Point Under Chips

—

0.17

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Case

th(j-c)

Per FWDi 1/2 Module, T Reference

—

0.304

°C/W

Reference Point Under Chips

Contact Thermal Resistance

External Gate Resistance

Internal Inductance

Per 1/2 Module, Thermal Grease Applied

IGBT Part

—

3.1

—

0.04

—

°C/W

th(c-f)

int

12/12 Rev. 2

1 234 5 6 7

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