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QEE113E3R0

更新时间： 2024-02-29 15:24:33

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安森美 - ONSEMI		光电二极管
页数	文件大小	规格书
7页	291K
描述
GaAs 红外发光二极管

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技术参数
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QEE113E3R0 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.40.20.00
Factory Lead Time：	4 weeks	风险等级：	0.6
Is Samacsys：	N	其他特性：	SIDE VIEW
配置：	SINGLE	最大正向电流：	0.05 A
最大正向电压：	1.5 V	JESD-609代码：	e3
安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT	功能数量：	1
最高工作温度：	100 °C	最低工作温度：	-40 °C
光电设备类型：	INFRARED LED	峰值波长：	940 nm
最大反向电压：	5 V	形状：	ROUND
尺寸：	1.65 mm	子类别：	Infrared LEDs
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin (Sn)
视角：	50 deg	Base Number Matches：	1

QEE113E3R0 数据手册

Typical Performance Characteristics (Continued)

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

Normalized to:

d = 0 inch

90°

100°

80°

110°

70°

Pulsed

120°

= 100μs

60°

Duty Cycle = 0.1%

130°

50°

= 5V

= 100Ω

= 25°C

140°

150°

160°

170°

40°

30°

20°

10°

180°

1.0

0°

1.0

0.8

0.6

0.4

0.2

0.0

0.2

0.4

0.6

0.8

LENS TIP SEPARATION (inches)

Figure 7. Radiation Diagram

Figure 8. Coupling Characteristics

of QEE113 and QSE113

QEE113 Rev. 2.2

www.fairchildsemi.com

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与QEE113E3R0相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
QEE122	FAIRCHILD	PLASTIC INFRARED LIGHT EMITTING DIODE	获取价格
QEE122	ONSEMI	AlGaAs红外线发光二极管	获取价格
QEE122	QT	AIGAAS INFRARED EMITTING DIODE	获取价格
QEE123	FAIRCHILD	PLASTIC INFRARED LIGHT EMITTING DIODE	获取价格
QEE123	QT	AIGAAS INFRARED EMITTING DIODE	获取价格
QEE123	ONSEMI	AlGaAs 红外发光二极管	获取价格