QED123

更新时间： 2024-02-28 08:59:21

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QT		红外LED 光电二极管
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2页	90K
描述
PLASTIC INFRARED LIGHT EMITTING DIODE

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QED123 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	PLASTIC PACKAGE-2	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.40.20.00	风险等级：	5.62
其他特性：	UL RECOGNIZED	配置：	SINGLE
最大正向电流：	0.1 A	JESD-609代码：	e3
功能数量：	1	最高工作温度：	100 °C
最低工作温度：	-40 °C	光电设备类型：	INFRARED LED
峰值波长：	880 nm	形状：	ROUND
尺寸：	4.95 mm	端子面层：	Tin (Sn)
Base Number Matches：	1

QED123 数据手册

QED121/122/123

PLASTIC INFRARED LIGHT EMITTING DIODE

PACKAGE DIMENSIONS

0.195 (4.95)

FEATURES

• != 880 nm

REFERENCE

SURFACE

• Chip material = AlGaAs

0.305 (7.75)

• Package type: T-1 3/4 (5mm lens diameter)

• Matched Photosensor: QSD122/123/124

• Narrow Emission Angle, 18°

0.040 (1.02)

NOM

• High Output Power

0.800 (20.3)

MIN

• Package material and color: Clear, peach tinted, plastic

0.050 (1.25)

CATHODE

0.100 (2.54)

NOM

1. Derate power dissipation linearly 2.67

mW/°C above 25°C.

2. RMA flux is recommended.

3. Methanol or isopropyl alcohols are

0.240 (6.10)

0.215 (5.45)

SCHEMATIC

recommended as cleaning agents.

4. Soldering iron 1/16” (1.6mm) minimum

from housing.

0.020 (0.51)

SQ. (2X)

NOTES:

ANODE

1. Dimensions for all drawings are in inches (mm).

2. Tolerance of ± .010 (.25) on all non-nominal dimensions

unless otherwise specified.

CATHODE

(T = 25°C unless otherwise specified)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Parameter

Operating Temperature

Symbol

T_OPR

T_STG

T_SOL-I

T_SOL-F

I_F

Rating

-40 to +100

240 for 5 sec

260 for 10 sec

Unit

°C

Storage Temperature

°C

Soldering Temperature (Iron)^(2,3,4)

Soldering Temperature (Flow)^(2,3)

Continuous Forward Current

Reverse Voltage

°C

V_R

Power Dissipation⁽¹⁾

P_D

200

(TA =25°C)

ELECTRICAL / OPTICAL CHARACTERISTICS

PARAMETER

TEST CONDITIONS

I_F= 100 mA

SYMBOL

MIN

—

TYP

880

±9

MAX

—

UNITS

Peak Emission Wavelength

Emission Angle

I_F= 100 mA

—

Deg.

Forward Voltage

I_F= 100 mA, tp = 20 ms

V_R= 5 V

V_F

I_R

I_E

t_r

—

1.7

Reverse Current

—

µA

Radiant Intensity QED121

Radiant Intensity QED122

Radiant Intensity QED123

Rise Time

I_F= 100 mA, tp = 20 ms

—

mW/sr

—

100

—

800

—

I_F= 100 mA

Fall Time

t_f

—

1 of 2

100021B

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