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QD406S

更新时间： 2022-02-26 12:19:01

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强茂 - PANJIT		/
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8页	287K
描述
Planar structure with EPI wafer

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QD406S 数据手册

QR406/QR406F/QR406D/QD406S

ELECTRICAL CHARACTERISTICS(TA=25^oC unless otherwise noted)

PARAMETER

Breakdown voltage

SYMBOL

TEST CONDITIONS

MIN.

600

TYP.

MAX.

UNIT

=100A

=25^oC

=125^oC

=1A

=4A

1.02

1.23

1.45

Instantaneous forward voltage

Reverse leakage current

=1A

=4A

0.84

1.1

1.3

=25^oC

100

=600V

A

=125^oC

F=0.5A

R=1A

=25^oC

RR=0.25A

=1A

=30V

di/dt=100A/s

=4A

=400V

di/dt=200A/s

=4A

=400V

di/dt=200A/s

=4A

=400V

di/dt=200A/s

Reverse recovery time

TRR

Peak recovery current

RRM

Reverse recovery charge

QRR

135

May 8,2014-REV.00

PAGE . 2

123 4 5 6 7 8

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