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Q67042-S4153

更新时间： 2024-01-06 04:51:39

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OptiMOS 2 Power-Transistor

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Q67042-S4153 数据手册

IPB09N03LA

IPI09N03LA, IPP09N03LA

1 Power dissipation

2 Drain current

P _tot=f(T _C)

I _D=f(T _C); V _GS≥10 V

100

150

200

100

150

200

T _C[°C]

3 Safe operation area

I _D=f(V _DS); T _C=25 °C; D =0

parameter: t _p

4 Max. transient thermal impedance

Z _thJC=f(t _p)

parameter: D =t _p/T

1000

limited by on-state

resistance

1 µs

0.5

10 µs

100

0.2

100 µs

0.1

0.05

1 ms

0.1

0.02

10 ms

0.01

single pulse

0.01

-4

010^-6

100^-5

100

10^-0³

10^-0²

10^-10 10⁰1

0.1

100

t _p[s]

V _DS[V]

Rev. 1.3

page 4

2003-12-18

1 2 345 6 7...10

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