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Q62703-Q2174

更新时间： 2024-02-06 15:36:19

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描述
GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880nm GaAIAs Infrared Emitter 880 nm

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Q62703-Q2174 数据手册

GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode (880nm)

GaAIAs Infrared Emitter (880 nm)

SFH 487

Area not flat

0.6

0.4

5.2

4.5

4.1

3.9

4.0

3.6

1.8

1.2

0.6

0.4

(3.5)

Chip position

6.3

5.9

Cathode (SFH 409)

Anode (SFH 487)

GEX06250

Approx. weight 0.3 g

Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

Features

● Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren

● Hohe Zuverlässigkeit

● Fabricated in a liquid phase epitaxy process

● High reliability

● Hohe Impulsbelastbarkeit

● Gute spektrale Anpassung an

Si-Fotoempfänger

● High pulse handling capability

● Good spectral match to silicon

photodetectors

● Gehäusegleich mit SFH 309, SFH 409

● Same package as SFH 309, SFH 409

Anwendungen

Applications

● IR-Fernsteuerung von Fernseh-, Rundfunk-

und Videogeräten, Lichtdimmern

● IR remote control for hifi and TV sets, video

tape recorder, dimmers

● Lichtschranken bis 500 kHz

● Light-reflection switches (max. 500 kHz)

Typ

Type

Bestellnummer

Ordering Code

Gehäuse

Package

SFH 487

Q62703-Q1095

Q62703-Q2174

3-mm-LED-Gehäuse (T1), klares violettes Epoxy-

Gieβharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster ( /10’’),

Anodenkennzeichnung: kürzerer Anschluβ

SFH 487-2

3 mm LED package (T1), violet-colored transparent

epoxy resin, solder tabs lead spacing 2.54 mm ( /10’’),

anode marking: short lead

Semiconductor Group

1997-11-01

12 3 4 5

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