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Q62703-Q198

更新时间： 2024-02-24 00:55:12

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描述
GaAs Infrared Emitter

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Q62703-Q198 数据手册

GaAs-IR-Lumineszenzdiode

GaAs Infrared Emitter

LD 242

2.7

ø0.45

Chip position

14.5

12.5

ø5.5

ø5.2

3.6

3.0

GET06625

Anode (LD 242, BPX 63, SFH 464)

Cathode (SFH 483)

Approx. weight 0.5 g

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

Features

● GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im

Schmelzepitaxieverfahren

● Kathode galvanisch mit Gehäuseboden

verbunden

● GaAs infrared emitting diode, fabricated in a

liquid phase epitaxy process

● Cathode is electrically connected to the case

● High reliability

● Hohe Zuverlässigkeit

● Wide beam

● Großer Öffnungskegel

● Gehäusegleich mit BP 103, BPX 63,

SFH 464, SFH 483

● Same package as BP 103, BPX 63,

SFH 464, SFH 483

● DIN humidity category in acc. with

DIN 40 040 GQG

● Anwendungsklasse nach DIN 40 040 GQG

Anwendungen

Applications

● IR-Fernsteuerungen und Tonübertragungen

● Lichtschranken für Gleich- und

Wechsellichtbetrieb

● IR remote control and sound transmission

● Photointerrupters

Typ

Type

Bestellnummer

Ordering Code

Gehäuse

Package

LD 242-2

Q62703-Q198

Q62703-Q199

Q62703-Q3509

Bodenplatte nach 18 A3 DIN 41876 (TO-18), klares

Epoxy-Gießharz, linsenförmig im 2.54-mm-Raster

(¹/₁₀’’)

LD 242-3

LD 242 E7800

Base plate as per 18 A3 DIN 41876 (TO-18), transpar-

ent epoxy resin lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm

(¹/₁₀’’)

Semiconductor Group

1998-07-15

12 3 4 5

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