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Q62703-Q1820

更新时间： 2022-11-26 07:50:15

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4页	37K
描述
GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter

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Q62703-Q1820 数据手册

GaAs-IR-Lumineszenzdiode

GaAs Infrared Emitter

LD 274

Area not flat

9.0

0.6

0.4

8.2

5.9

5.5

7.8

7.5

1.8

1.2

0.6

0.4

5.7

5.1

Chip position

Cathode (Diode)

Collector (Transistor)

GEX06260

Approx. weight 0.5 g

Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.

Wesentliche Merkmale

Features

● Sehr enger Abstrahlwinkel

● GaAs-IR-LED, hergestellt im

Schmelzepitaxieverfahren

● Hohe Zuverlässigkeit

● Extremely narrow half angle

● GaAs infrared emitting diode, fabricated in a

liquid phase epitaxy process

● High reliability

● Hohe Impulsbelastbarkeit

● Gruppiert lieferbar

● High pulse handling capability

● Available in groups

● Gehäusegleich mit SFH 484

● Same package as SFH 484

Anwendungen

Applications

● IR-Fernsteuerung von Fernseh- und

Rundfunkgeräten, Videorecordern,

Lichtdimmern, Geräten

● IR remote control of hi-fi and TV-sets, video

tape recorders, dimmers,

of various equipment

Typ

Type

Bestellnummer

Ordering Code

Gehäuse

Package

LD 274

Q62703-Q1031

Q62703-Q1819

Q62703-Q1820

5-mm-LED-Gehäuse (T 1 / ), graugetöntes Epoxy-

Gießharz, Anschlüsse im 2.54-mm-Raster ( / ’’),

Kathodenkennzeichnung: Kürzerer Lötspieß, flat

LD 274-2¹⁾

5 mm LED package (T 1 / ), grey colored epoxy resin

lens, solder tabs lead spacing 2.54 mm ( / ’’), cathode

marking: shorter solder lead, flat

LD 274-3

Nur auf Anfrage lieferbar.

Available only on request.

Semiconductor Group

1997-11-01

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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