Q62702-A778

更新时间： 2024-09-28 22:44:11

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英飞凌 - INFINEON		整流二极管开关
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3页	89K
描述
Silicon Switching Diodes (Switching applications High breakdown voltage)

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Q62702-A778 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.6
Is Samacsys：	N	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	1 W
最大重复峰值反向电压：	50 V	最大反向恢复时间：	1 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

Q62702-A778 数据手册

Silicon Switching Diodes

BAW 78 A

… BAW 78 D

● Switching applications

● High breakdown voltage

Package¹⁾

Type

Marking

Ordering Code

(tape and reel)

Pin Configuration

BAW 78 A

BAW 78 B

BAW 78 C

BAW 78 D

Q62702-A778

Q62702-A779

Q62702-A784

Q62702-A109

SOT-89

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

BAW 78 A BAW 78 B BAW 78 C BAW 78 D

Unit

Reverse voltage

100

200

400

Peak reverse voltage

Forward current

VRM

Peak forward current

Surge forward current

t = 1 µs

Total power dissipation

Ptot

= 125 ˚C

Junction temperature

150

˚C

Storage temperature range Tstg

– 65 … + 150

Thermal Resistance

Junction - ambient²⁾

th JA

th JS

≤ 95

≤ 25

K/W

Junction - soldering point

For detailed information see chapter Package Outlines.

Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm²Cu.

01.97

Semiconductor Group

12 3

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