5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.6 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 最大输出电流： | 0.12 A | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 最大功率耗散： | 0.25 W | 最大重复峰值反向电压： | 40 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | SCHOTTKY |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| Q62702-A910 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Switching Diodes (Switching applications High breakdown voltage) |
|
| Q62702-A911 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Switching Diodes (Switching applications High breakdown voltage) |
|
| Q62702-A912 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Switching Diodes (Switching applications High breakdown voltage) |
|
| Q62702-A913 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Switching Diodes (Switching applications High breakdown voltage) |
|
| Q62702-A914 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Switching Diodes (Switching applications High breakdown voltage Common cathode) |
|
| Q62702-A915 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Switching Diodes (Switching applications High breakdown voltage Common cathode) |
|
| Q62702-A916 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Switching Diodes (Switching applications High breakdown voltage Common cathode) |
|
| Q62702-A917 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Switching Diodes (Switching applications High breakdown voltage Common cathode) |
|
| Q62702-A918 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Schottky Diode (For mixer applications in the VHF/UHF range For high-speed switchi |
|
| Q62702-A919 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Low Leakage Diode (Low-leakage applications Medium speed switching times Single di |
|
BSS138LT3G：一款高效能N沟道MOSFET的全面解析
解读EGP10B二极管资料手册：产品特性、参数分析
RT9164AGG手册资料详解：引脚信息、设计指南
2SA1037KPT资料详解：产品特性、电气参数、设计指南
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
