Q62702-A917

更新时间： 2024-01-06 20:11:09

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英飞凌 - INFINEON		整流二极管开关光电二极管
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3页	70K
描述
Silicon Switching Diodes (Switching applications High breakdown voltage Common cathode)

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Q62702-A917 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PDSO-G4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.70	风险等级：	5.6
Is Samacsys：	N	外壳连接：	CATHODE
配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	2	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	0.5 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	最大功率耗散：	1.2 W
最大重复峰值反向电压：	400 V	最大反向恢复时间：	1 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	Base Number Matches：	1

Q62702-A917 数据手册

Silicon Switching Diodes

BAS 79 A

… BAS 79 D

● Switching applications

● High breakdown voltage

● Common cathode

Package¹⁾

Type

Marking

Ordering Code

(tape and reel)

Pin Configuration

BAS 79 A

BAS 79 B

BAS 79 C

BAS 79 D

BAS 79 A

BAS 79 B

BAS 79 C

BAS 79 D

Q62702-A914

Q62702-A915

Q62702-A916

Q62702-A917

SOT-223

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

BAS

79 D

BAS

79 A

BAS

79 B

BAS

79 C

Reverse voltage

100

200

400

Peak reverse voltage

Forward current

VRM

Peak forward current

Surge forward current, t = 1 µs

1.2

Total power dissipation, T

= 114 ˚C²⁾

Ptot

Junction temperature

150

˚C

Storage temperature range

Tstg

– 65 … + 150

Thermal Resistance

Junction - ambient²⁾

th JA

th JS

≤ 170

≤ 30

K/W

Junction - soldering point

For detailed information see chapter Package Outlines.

Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm²Cu.

5.91

Semiconductor Group

12 3

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