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PZTA92T1/D

更新时间： 2024-01-30 18:23:02
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管高压
页数 文件大小 规格书
8页 74K
描述
High Voltage Transistor PNP

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PZTA92T1/D 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-261AA包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.79
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.5 A
基于收集器的最大容量：6 pF集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-261AAJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：1.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
VCEsat-Max：0.5 VBase Number Matches：1

PZTA92T1/D 数据手册

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ON Semiconductort  
PZTA92T1  
ON Semiconductor Preferred Device  
High Voltage Transistor  
PNP Silicon  
COLLECTOR 2,4  
BASE  
1
SOT–223 PACKAGE  
PNP SILICON  
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
SURFACE MOUNT  
EMITTER 3  
MAXIMUM RATINGS  
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Symbol  
Value  
–300  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Collector Current  
–300  
4
–5.0  
1
2
3
I
C
–500  
mAdc  
Watts  
°C  
(1)  
Total Power Dissipation up to T = 25°C  
P
D
1.5  
A
Storage Temperature Range  
Junction Temperature  
DEVICE MARKING  
P2D  
T
stg  
–65 to +150  
150  
CASE 318E–04, STYLE 1  
TO–261AA  
T
J
°C  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
(1)  
Thermal Resistance from Junction to Ambient  
R
83.3  
°C/W  
θ
JA  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage (I = –1.0 mAdc, I = 0)  
V
–300  
–300  
–5.0  
—
—
—
Vdc  
Vdc  
C
B
(BR)CEO  
(BR)CBO  
(BR)EBO  
Collector–Base Breakdown Voltage (I = –100 µAdc, I = 0)  
V
V
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage (I = –100 µAdc, I = 0)  
—
Vdc  
E
C
Collector–Base Cutoff Current (V = –200 Vdc, I = 0)  
I
CBO  
–0.25  
–0.1  
µAdc  
µAdc  
CB  
E
Emitter–Base Cutoff Current (V = –3.0 Vdc, I = 0)  
I
EBO  
—
BE  
C
ON CHARACTERISTICS  
(2)  
DC Current Gain  
h
FE  
—
(I = –1.0 mAdc, V = –10 Vdc)  
25  
40  
25  
—
—
—
C
CE  
(I = –10 mAdc, V = –10 Vdc)  
C
CE  
(I = –30 mAdc, V = –10 Vdc)  
C
CE  
Saturation Voltages  
Vdc  
(I = –20 mAdc, I = –2.0 mAdc)  
V
—
—
–0.5  
–0.9  
C
B
CE(sat)  
V
BE(sat)  
(I = –20 mAdc, I = –2.0 mAdc)  
C
B
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Collector–Base Capacitance @ f = 1.0 MHz (V = –20 Vdc, I = 0)  
C
—
6.0  
—
pF  
CB  
E
cb  
Current–Gain — Bandwidth Product  
(I = –10 mAdc, V = –20 Vdc, f = 100 MHz)  
f
T
50  
MHz  
C
CE  
2
1. Device mounted on a glass epoxy printed circuit board 1.575 in. x 1.575 in. x 0.059 in.; mounting pad for the collector lead min. 0.93 in .  
2. Pulse Test: Pulse Width ≤ 300 µs; Duty Cycle = 2.0%.  
Preferred devices are ON Semiconductor recommended choices for future use and best overall value.  
Semiconductor Components Industries, LLC, 2001  
1
Publication Order Number:  
March, 2001 – Rev. 4  
PZTA92T1/D  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PZTA92T1G ONSEMI

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