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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> PZTA92T1G
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PZTA92T1G

更新时间： 2024-01-02 10:37:47
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 晶体晶体管高压
页数 文件大小 规格书
4页 88K
描述
High Voltage Transistor PNP Silicon

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PZTA92T1G 技术参数

是否无铅： 不含铅生命周期：Active
零件包装代码：TO-261AA包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.75
Factory Lead Time：1 week风险等级：0.79
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：0.5 A
基于收集器的最大容量：6 pF集电极-发射极最大电压：300 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-261AAJESD-30 代码：R-PDSO-G4
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：1.5 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：50 MHz
VCEsat-Max：0.5 VBase Number Matches：1

PZTA92T1G 数据手册

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PZTA92T1G  
High Voltage Transistor  
PNP Silicon  
Features  
• Complement to PZTA42T1G  
http://onsemi.com  
• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS  
Compliant  
SOT−223 PACKAGE  
PNP SILICON  
HIGH VOLTAGE TRANSISTOR  
SURFACE MOUNT  
MAXIMUM RATINGS (T = 25°C unless otherwise noted)  
C
Rating  
Collector−Emitter Voltage  
Collector−Base Voltage  
Emitter−Base Voltage  
Collector Current  
Symbol  
Value  
−300  
−300  
−5.0  
Unit  
Vdc  
Vdc  
Vdc  
mAdc  
W
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
COLLECTOR 2,4  
BASE  
1
I
C
−500  
Total Power Dissipation  
P
D
up to @ T = 25°C (Note 1)  
1.5  
−65 to +150  
150  
A
EMITTER 3  
4
Storage Temperature Range  
Junction Temperature  
T
°C  
°C  
stg  
T
J
Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum  
Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended  
Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the  
Recommended Operating Conditions may affect device reliability.  
1
2
3
1. Device mounted on a FR-4 glass epoxy printed circuit board  
SOT−223  
CASE 318E  
STYLE 1  
1.575 in x 1.575 in x 0.0625 in; mounting pad for the collector lead = 0.93 sq in.  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
Unit  
MARKING DIAGRAM  
Thermal Resistance,  
Junction−to−Ambient (Note 2)  
R
°C/W  
q
JA  
83.3  
2. Device mounted on a FR−4 glass epoxy printed circuit board  
1.575 in x 1.575 in x 0.0625 in; mounting pad for the collector lead = 0.93 sq in.  
AYW  
P2DG  
G
1
P2D  
A
Y
= Specific Device Code  
= Assembly Location  
= Year  
W
G
= Work Week  
= Pb−Free Package  
(Note: Microdot may be in either location)  
ORDERING INFORMATION  
†
Device  
Package  
Shipping  
PZTA92T1G  
SOT−223  
(Pb−Free)  
1,000 / Tape & Reel  
†For information on tape and reel specifications,  
including part orientation and tape sizes, please  
refer to our Tape and Reel Packaging Specification  
Brochure, BRD8011/D.  
© Semiconductor Components Industries, LLC, 2013  
1
Publication Order Number:  
September, 2013 − Rev. 9  
PZTA92T1/D  
 
1234

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PZTA92T1G 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
PZTA92T1 ONSEMI

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