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| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.64 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.6 A | 集电极-发射极最大电压： | 150 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G4 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 4 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | PNP |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 100 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PZT5401G-B-AA3-R | UTC |
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Power Bipolar Transistor |
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| PZT5401G-C-AA3-R | UTC |
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Power Bipolar Transistor |
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| PZT5401G-X-AA3-R | UTC |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
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| PZT5401L-AA3-R | UTC |
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HIGH VOLTAGE SWITCHING TRANSISTOR |
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| PZT5401L-AA3-R-A | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy |
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| PZT5401L-AA3-R-B | UTC |
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暂无描述 |
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| PZT5401L-AA3-R-C | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 150V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy |
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| PZT5401L-A-AA3-R | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
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| PZT5401L-B-AA3-R | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
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| PZT5401L-C-AA3-R | UTC |
获取价格 |
Power Bipolar Transistor |
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