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PUMB15,115

更新时间： 2024-01-08 12:57:35

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恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	588K
描述
PEMB15; PUMB15 - PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kΩ, R2 = 4.7 kΩ TSSOP 6-Pin

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PUMB15,115 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TSSOP
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.26	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PUMB15,115 数据手册

PEMB15; PUMB15

NXP Semiconductors

PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 k, R2 = 4.7 k

006aac749

400

tot

(mW)

300

200

100

-75

-25

125

175

(°C)

amb

FR4 PCB, standard footprint

Fig 1. Per device: Power derating curve for SOT363 (SC-88) and SOT666

6. Thermal characteristics

Table 7.

Symbol

Per transistor

Thermal characteristics

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max Unit

R_th(j-a)

thermal resistance from

in free air

junction to ambient

PEMB15 (SOT666)

PUMB15 (SOT363)

[1][2]

[1]

625

K/W

Per device

R_th(j-a)

thermal resistance from

junction to ambient

in free air

[1][2]

[1]

PEMB15 (SOT666)

PUMB15 (SOT363)

417

K/W

[1] Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.

[2] Reflow soldering is the only recommended soldering method.

PEMB15_PUMB15

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Product data sheet

Rev. 5 — 16 December 2011

4 of 14

1 2 345 6 7...14

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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