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PUMB18,115

更新时间： 2024-01-11 14:32:46

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恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	585K
描述
PEMB18; PUMB18 - PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kΩ, R2 = 10 kΩ TSSOP 6-Pin

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PUMB18,115 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSSOP	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.21
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 2.1	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	50	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PUMB18,115 数据手册

PEMB18; PUMB18

PNP/PNP resistor-equipped transistors;

R1 = 4.7 k, R2 = 10 k

Rev. 5 — 21 December 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

PNP/PNP double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted

Device (SMD) plastic packages.

Table 1.

Product overview

Type number Package

NXP

NPN/PNP

complement

NPN/NPN

complement

Package

configuration

JEITA

PEMB18

PUMB18

SOT666

PEMD18

PUMD18

PEMH18

PUMH18

ultra small and flat lead

very small

SOT363 SC-88

1.2 Features and benefits

 100 mA output current capability

 Built-in bias resistors

 Reduces component count

 Reduces pick and place costs

 AEC-Q101 qualified

 Simplifies circuit design

1.3 Applications

 Low current peripheral driver

 Control of IC inputs

 Replaces general-purpose transistors in digital applications

1.4 Quick reference data

Table 2.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Per transistor

V_CEO

I_O

collector-emitter voltage open base

output current

50

100

6.1

k

bias resistor 1 (input)

bias resistor ratio

3.3

1.7

4.7

2.1

R2/R1

2.6

12 3 4 5 6 7...14

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