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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | SC-88 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.36 |
| 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 1 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.02 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 50 V | 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.3 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PUMB24,115 | NXP |
类似代替  |
PEMB24; PUMB24 - PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = 100 kOhm TSSOP |
|
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| PUMB24,115 | NXP |
获取价格 |
PEMB24; PUMB24 - PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 100 kOhm, R2 = 100 kOhm TSSOP |
|
| PUMB24/T1 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 20 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SMD, SC-88, |
|
| PUMB24/T2 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 20 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SMD, SC-88, |
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| PUMB24-115 | PHILIPS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 2-Element, PNP, Silicon |
|
| PUMB24-125 | PHILIPS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 2-Element, PNP, Silicon, |
|
| PUMB24-135 | PHILIPS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 2-Element, PNP, Silicon, |
|
| PUMB24-165 | PHILIPS |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.02A I(C), 2-Element, PNP, Silicon, |
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| PUMB2-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
50 V, 100 mA PNP/PNP resistor-equipped double |
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| PUMB2T/R | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-88, 6 PI |
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| PUMB3 | NXP |
获取价格 |
PNP resistor-equipped double transistor; R1 = 4.7 kohm |
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