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PUMB15,115

更新时间： 2024-02-04 00:34:28

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恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
14页	588K
描述
PEMB15; PUMB15 - PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kΩ, R2 = 4.7 kΩ TSSOP 6-Pin

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PUMB15,115 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TSSOP
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.26	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PUMB15,115 数据手册

PEMB15; PUMB15

PNP/PNP resistor-equipped transistors;

R1 = 4.7 k, R2 = 4.7 k

Rev. 5 — 16 December 2011

Product data sheet

1. Product profile

1.1 General description

PNP/PNP double Resistor-Equipped Transistors (RET) in Surface-Mounted

Device (SMD) plastic packages.

Table 1.

Product overview

Type number Package

NXP

NPN/PNP

complement

NPN/NPN

complement

Package

configuration

JEITA

PEMB15

PUMB15

SOT666

PEMD15

PUMD15

PEMH15

PUMH15

ultra small and flat lead

very small

SOT363 SC-88

1.2 Features and benefits

 100 mA output current capability

 Built-in bias resistors

 Reduces component count

 Reduces pick and place costs

 AEC-Q101 qualified

 Simplifies circuit design

1.3 Applications

 Low current peripheral driver

 Control of IC inputs

 Replaces general-purpose transistors in digital applications

1.4 Quick reference data

Table 2.

Symbol

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Per transistor

V_CEOcollector-emitter voltage

I_O

open base

50

100

6.1

output current

k

bias resistor 1 (input)

bias resistor ratio

3.3

0.8

4.7

R2/R1

1.2

12 3 4 5 6 7...14

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