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PUMB14,115

更新时间： 2024-01-28 01:21:48

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恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	56K
描述
PEMB14; PUMB14 - PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 47 kOhm, R2 = open TSSOP 6-Pin

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PUMB14,115 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TSSOP
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.29	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PUMB14,115 数据手册

PEMB14; PUMB14

NXP Semiconductors

PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 47 kΩ, R2 = open

7. Characteristics

Table 8.

Characteristics

T_amb= 25 °C unless otherwise speciﬁed

Symbol Parameter Conditions

Per transistor

I_CBO

Min

Typ

Max

Unit

collector-base cut-off V_CB= −50 V; I_E= 0 A

−100

current

I_CEO

collector-emitter

cut-off current

V_CE= −30 V; I_B= 0 A

−1

µA

V_CE= −30 V; I_B= 0 A;

T_j= 150 °C

−50

I_EBO

emitter-base cut-off

current

V_EB= −5 V; I_C= 0 A

−100

h_FE

DC current gain

V_CE= −5 V; I_C= −1 mA

100

V_CEsat

collector-emitter

I_C= −10 mA; I_B= −0.5 mA

−150

saturation voltage

C_c

bias resistor 1 (input)

kΩ

collector capacitance V_CB= −10 V; I_E= i_e= 0 A;

2.5

f = 1 MHz

006aaa206

006aaa207

1000

−1

(1)

(2)

CEsat

(V)

(3)

−1

100

−10

(1)

(2)

(3)

−2

−10

−1

−10

−1

−10

(mA)

I (mA)

V_CE= −5 V

I_C/I_B= 20

(1) T_amb= 100 °C

(2) T_amb= 25 °C

(3) T_amb= −40 °C

(1) T_amb= 100 °C

(2) T_amb= 25 °C

(3) T_amb= −40 °C

Fig 1. DC current gain as a function of collector

current; typical values

Fig 2. Collector-emitter saturation voltage as a

function of collector current; typical values

PEMB14_PUMB14_2

Product data sheet

Rev. 02 — 31 August 2009

4 of 10

1 2 345 6 7...10

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