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PUMB14,115

更新时间： 2024-01-15 05:35:42

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恩智浦 - NXP		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	56K
描述
PEMB14; PUMB14 - PNP/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 47 kOhm, R2 = open TSSOP 6-Pin

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PUMB14,115 技术参数

生命周期：	Active	零件包装代码：	TSSOP
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.29	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	100
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

PUMB14,115 数据手册

PEMB14; PUMB14

PNP/PNP resistor-equipped transistors;

R1 = 47 kΩ, R2 = open

Rev. 02 — 31 August 2009

Product data sheet

1. Product proﬁle

1.1 General description

PNP/PNP resistor-equipped transistors

Table 1.

Product overview

Type number

Package

NXP

NPN/PNP

complement

NPN/NPN

complement

JEITA

PEMB14

PUMB14

SOT666

SOT363

PEMD14

PUMD14

PEMH14

PUMH14

SC-88

1.2 Features

I Built-in bias resistors

I Simpliﬁes circuit design

I Reduces component count

I Reduces pick and place cost

1.3 Applications

I Low current peripheral driver

I Control of IC inputs

I Replacement of general-purpose transistors in digital applications

1.4 Quick reference data

Table 2.

Symbol

V_CEO

I_O

Quick reference data

Parameter

Conditions

Min

Typ

Max

−50

−100

Unit

collector-emitter voltage

output current (DC)

bias resistor 1 (input)

open base

kΩ

12 3 4 5 6 7...10

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