Datasheet > PUB4121Q

PUB4121Q

更新时间： 2024-01-12 23:14:44

品牌	Logo	应用领域
松下 - PANASONIC		开关晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	212K
描述
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 35V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 10 Pin, SIP-10

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

PUB4121Q 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIP
包装说明：	SIP-10	针数：	10
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
最大集电极电流 (IC)：	2 A	集电极-发射极最大电压：	35 V
配置：	COMMON EMITTER, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	1000
JESD-30 代码：	R-PSIP-T10	元件数量：	4
端子数量：	10	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	20 MHz
Base Number Matches：	1

PUB4121Q 数据手册

Power Transistor Arrays

PUB4121 (PU4121), PUB4421 (PU4421)

Silicon NPN triple diffusion planar type darlington

For power amplification

Unit: mm

■ Features

• Built-in zener diode (30 V) between collector and base

• Small variation in withstand pressure

25.3 0.2

4.0 0.2

• Large energy handling capability

• High-speed switching

• PUB4121 (PU4121): NPN 4 elements

PUB4421 (PU4421): NPN 2 elements × 2

0.8 0.25

0.5 0.15

1.0 ^0.25

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

2.54 0.2

9 × 2.54 = 22.86 0.25

Parameter

Symbol

Rating

Unit

1: Emitter

2: Base

3: Collector

4: Base

5: Collector

6: Base

7: Collector

Collector-base voltage (Emitter open) V_CBO

30 5

C 1.5 0.5

Collector-emitter voltage (Base open)

Emitter-base voltage (Collector open)

Collector current

V_CEO

V_EBO

I_C

30 5

1 2 3 4 5 6 7 8 9 10

8: Base

9: Collector

10: Emitter

SIP10-A1 Package

Peak collector current

Collector power dissipation

T_a= 25°C

I_CP

P_C

3.5

Junction temperature

T_j

150

°C

Storage temperature

T_stg

−55 to +150

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Symbol

V_CEO

I_CBO

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

Collector-emitter voltage (Base open)

Collector-base cutoff current (Emitter open)

Emitter-base cutoff current (Collector open)

Forward current transfer ratio

I_C= 5 mA, I_B= 0

V_CB= 25 V, I_E= 0

V_EB= 5 V, I_C= 0

V_CE= 4 V, I_C= 1 A

V_CE= 4 V, I_C= 2 A

100

µA



I_EBO

h_FE1

1000

h_FE2

10000

2.5

Collector-emitter saturation voltage

Base-emitter saturation voltage

Transition frequency

Turn-on time

V_CE(sat)I_C= 2 A, I_B= 8 mA

V_BE(sat)I_C= 2 A, I_B= 8 mA

2.5

f_T

t_on

t_stg

t_f

V_CE= 10 V, I_C= 0.5 A, f = 1 MHz

0.4

3.0

1.0

MHz

µs

I_C= 2 A

Storage time

I_B1= 8 mA, I_B2= −8 mA

V_CC= 20 V

µs

Fall time

µs

Energy handling capability ^*

E_s/b

I_C= 1.45 A, L = 100 mH, R_BE= 100 Ω 100

Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

2. 1: Rank classification

2: E_s/btest circuit

Mercury relay

Rank

Free

h_FE

1000 to 10000 2000 to 10 000 1000 to 5000

R_BE

Note) The part numbers in the parenthesis show conventional part number.

Publication date: March 2004

SJK00064AED

12 3

下载PDF

与PUB4121Q相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
PUB4122(PU4122)	ETC	複合デバイス－パワートランジスタアレイ	获取价格
PUB4122P	PANASONIC	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 25V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 1	获取价格
PUB4122Q	PANASONIC	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 25V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 1	获取价格
PUB4123(PU4123)	ETC	複合デバイス－パワートランジスタアレイ	获取价格
PUB4124	PANASONIC	Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 50V V(BR)CEO, 4-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 1	获取价格
PUB4124(PU4124)	ETC	複合デバイス－パワートランジスタアレイ	获取价格

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PUB4121Q

PUB4121Q 技术参数

PUB4121Q 数据手册

与PUB4121Q相关器件

与PUB4121Q相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

PUB4121Q

PUB4121Q 技术参数

PUB4121Q 数据手册

与PUB4121Q相关器件

与PUB4121Q相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？