PTZ5.6B

更新时间： 2024-11-13 22:18:43

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罗姆 - ROHM		稳压二极管齐纳二极管测试光电二极管
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Zener diode

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PTZ5.6B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	R-PDSO-C2
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.37	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	8 Ω
JESD-30 代码：	R-PDSO-C2	JESD-609代码：	e1
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	5.6 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式：	C BEND	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	最大电压容差：	5.88%
工作测试电流：	40 mA	Base Number Matches：	1

PTZ5.6B 数据手册

PTZ7.5B

Diodes

Zener diode

PTZ7.5B

zApplications

zExternal dimensions (Unit : mm)

zLand size figure (Unit : mm)

Voltage regulation

2.6±0.2

2.0

0.1±0.02

ꢀꢀꢀ 0.1

zFeatures

①

②

1) Small power mold type. (PMDS)

2) High ESD tolerance

0.2±0.01

1.03

0.25

0.5

1.5±0.2

2.6±0.03

2.0±0.2

PMDS

zConstruction

Silicon epitaxial planar

zStructure

ROHM : PMDS

JEDEC : SOD-106

①

②

Manufacture Date

zTaping dimensions (Unit : mm)

2.0±0.05

φ1.55±0.1

ꢀꢀꢀꢀꢀ

8.0±0.1

4.0±0.1

0.3±0.1

φ1.55±0.05

2.9±0.1

8.0±0.1

2.4±0.1

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Power dissipation

Limits

Symbol

Unit

℃

1000

150

Junction temperature

Storage temperature

-55 to +150

Tstg

℃

Rev.B

1/4

12 3 4 5

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