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PTC10002P

更新时间: 2024-11-23 22:26:11
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美高森美 - MICROSEMI 晶体晶体管达林顿晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 348K
描述
NPN Darlington Transistors

PTC10002P 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:,Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最大集电极电流 (IC):10 A
配置:DARLINGTON最小直流电流增益 (hFE):40
JESD-609代码:e0最高工作温度:150 °C
极性/信道类型:NPN最大功率耗散 (Abs):140 W
子类别:Other Transistors表面贴装:NO
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)Base Number Matches:1

PTC10002P 数据手册

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