WUXI NCE POWER SEMICONDUCTOR CO., LTD (新洁能) 更新时间:2024-04-09 19:02:14
无锡新洁能股份有限公司(以下简称“公司”)成立于2013年1月,注册资本为21,300万元,拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体、国硅集成电路四家子公司以及深圳分公司、宁波分公司。目前公司员工总共360余人,其中研发人员100余人。公司成立以来即专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售,产品优质且系列齐全,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G等领域;未来随着云计算、大数据、智能电网、无人驾驶等领域的蓬勃发展,公司产品将在该等新兴领域发挥重要作用。
型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
NCE60P05N | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | |
NCEP0140AL | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以 | ||
NCE3025Q | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | |
NCE20NP1006S | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
新洁能提供的12V~100VComplementary(N、P型互补式)MOSFET产品, | ||
NCEP02525G | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以 | ||
NCEAP4065QU | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
双极性晶体管 | 新洁能提供质量可靠、品种齐全、性能卓越的车规级功率器件,包含N型MOSFET,P型MOSF | |
NCE50NF130T | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
二极管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为500V至650V的N沟道SJ-IVNF系列功率MOSFET产 | |
NCE60N700R | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品 | ||
NCE20ND08U | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual(双芯)MOSFET | ||
NCE50NF130LL | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
二极管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为500V至650V的N沟道SJ-IVNF系列功率MOSFET产 | |
NCE3402 | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | |
NCE3008Y | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | |
NCE60NF420K | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
二极管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为500V至650V的N沟道SJ-IVNF系列功率MOSFET产 | |
NCEP01T13BD | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
新洁能提供击穿电压等级范围为30V至250V的N沟道SGT-I系列功率MOSFET产品,以 | ||
NCEAP055N12D | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
双极性晶体管 | 新洁能提供质量可靠、品种齐全、性能卓越的车规级功率器件,包含N型MOSFET,P型MOSF | |
NCEP023N85M | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
栅栅极 | 新洁能提供击穿电压等级范围为30V至120V的N沟道SGT-II系列功率MOSFET产品超 | |
NCEAP40T35AVD | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
双极性晶体管 | 新洁能提供质量可靠、品种齐全、性能卓越的车规级功率器件,包含N型MOSFET,P型MOSF | |
NCE70N1K1D | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品 | ||
NCE70T260K | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
开关栅栅极 | 新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品 | |
NCE70T260I | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
开关栅栅极 | 新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品 | |
NCE0110AK | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | |
NCE2301A | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | |
NCE30H11G | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | |
NCE8736 | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | |
NCE70N900F | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品 | ||
NCE15TD135LP | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
开关双极性晶体管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构 | |
NCEP048NH150 | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
栅 | 新洁能正在陆续推出第三代屏蔽栅沟槽型功率MOSFET,相比于上一代产品,第三代产品特征导通 | |
NCE6045XG | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE | |
NCE4801 | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
????新洁能提供的P型20V~60V和N型18V~100V的Dual(双芯)MOSFET | ||
NCE4090G | NCEPOWER | 获取价格 | ![]() |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型(Trench)功率MOSFE |
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