WUXI NCE POWER SEMICONDUCTOR CO., LTD (新洁能) 更新时间：2025-03-31 14:57:49
无锡新洁能股份有限公司（以下简称“公司”）成立于2013年1月，注册资本为21,300万元，拥有新洁能香港、电基集成、金兰功率半导体、国硅集成电路四家子公司以及深圳分公司、宁波分公司。目前公司员工总共360余人，其中研发人员100余人。公司成立以来即专注于MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发、设计及销售，产品优质且系列齐全，广泛应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车及充电桩、智能装备制造、轨道交通、光伏新能源、5G等领域；未来随着云计算、大数据、智能电网、无人驾驶等领域的蓬勃发展，公司产品将在该等新兴领域发挥重要作用。
| 型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
| NCE100ED65BT | NCEPOWER | 获取价格 |  |
双极性晶体管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje | |
| NCE65N2K4I | NCEPOWER | 获取价格 | |
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品 | ||
| NCES120P080D7 | NCEPOWER | 获取价格 | |
新洁能提供的650V和1200V碳化硅功率MOSFET产品，具有电流密度大、击穿电 | ||
| NCE50NF600 | NCEPOWER | 获取价格 | |
二极管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为500V至650V的N沟道SJ-IVNF系列功率MOSFET产 | |
| NCE100ED75VT | NCEPOWER | 获取价格 | |
双极性晶体管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje | |
| NCEAP25N10AQ | NCEPOWER | 获取价格 | |
双极性晶体管 | 新洁能提供质量可靠、品种齐全、性能卓越的车规级功率器件，包含N型MOSFET，P型MOSF | |
| NCE025N40K | NCEPOWER | 获取价格 | |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE | |
| NCE70N220I | NCEPOWER | 获取价格 | |
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品 | ||
| NCE4060I | NCEPOWER | 获取价格 | |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE | |
| NCES120P040T4 | NCEPOWER | 获取价格 | |
新洁能提供的650V和1200V碳化硅功率MOSFET产品，具有电流密度大、击穿电 | ||
| NCE100ED75VT4 | NCEPOWER | 获取价格 | |
双极性晶体管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje | |
| NCEA75ED120BT | NCEPOWER | 获取价格 | |
双极性晶体管 | 新洁能提供质量可靠、品种齐全、性能卓越的车规级功率器件，包含N型MOSFET，P型MOSF | |
| NCEA75ED65BT | NCEPOWER | 获取价格 | |
双极性晶体管 | 新洁能提供质量可靠、品种齐全、性能卓越的车规级功率器件，包含N型MOSFET，P型MOSF | |
| NCE65N580D | NCEPOWER | 获取价格 | |
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品 | ||
| NCE65N580K | NCEPOWER | 获取价格 | |
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至1050V的N沟道SJ-IV系列功率MOSFET产品 | ||
| NCEP023NH85GU | NCEPOWER | 获取价格 | |
栅 | 新洁能正在陆续推出第三代屏蔽栅沟槽型功率MOSFET，相比于上一代产品，第三代产品特征导通 | |
| NCE40ED120VTP | NCEPOWER | 获取价格 | |
开关双极性晶体管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构 | |
| NCES075P042T4 | NCEPOWER | 获取价格 | |
新洁能提供的650V和1200V碳化硅功率MOSFET产品，具有电流密度大、击穿电 | ||
| NCEP020NH40GU | NCEPOWER | 获取价格 | |
栅 | 新洁能正在陆续推出第三代屏蔽栅沟槽型功率MOSFET，相比于上一代产品，第三代产品特征导通 | |
| NCE75ED65BT | NCEPOWER | 获取价格 | |
双极性晶体管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje | |
| NCE01P15K | NCEPOWER | 获取价格 | |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE | |
| NCEP022NH40AQU | NCEPOWER | 获取价格 | |
栅 | 新洁能正在陆续推出第三代屏蔽栅沟槽型功率MOSFET，相比于上一代产品，第三代产品特征导通 | |
| NCE75ED120VT | NCEPOWER | 获取价格 | |
开关双极性晶体管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为1200V至1350V的N沟道IGBT器件。通过工艺与器件结构 | |
| NCEAP008NH40AGW | NCEPOWER | 获取价格 | |
双极性晶体管 | 新洁能提供质量可靠、品种齐全、性能卓越的车规级功率器件，包含N型MOSFET，P型MOSF | |
| NCE2N150 | NCEPOWER | 获取价格 | |
新洁能推出了1500V和1700V系列功率VDMOS，具有如下特点：1） 耐压余量大 | ||
| NCEA65NF068D7 | NCEPOWER | 获取价格 | |
开关栅栅极 | 新洁能提供击穿电压500-1050V的N沟道SJ-IV系列车规级功率MOSFET产品，以行 | |
| NCE200ED65VTP4 | NCEPOWER | 获取价格 | |
双极性晶体管 | 新洁能提供击穿电压等级范围为600V至650V的N沟道IGBT器件。通过注入增强（Inje | |
| NCE028N30Q | NCEPOWER | 获取价格 | |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE | |
| NCE4060BK | NCEPOWER | 获取价格 | |
开关 | 新洁能提供的N型12V~200V和P型12V~150V沟槽型（Trench）功率MOSFE | |
| NCEP013NH40GU | NCEPOWER | 获取价格 | |
栅 | 新洁能正在陆续推出第三代屏蔽栅沟槽型功率MOSFET，相比于上一代产品，第三代产品特征导通 | |
WUXI NCE POWER SEMICONDUCTOR CO., LTD (新洁能) 热门型号
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