HYNIX SEMICONDUCTOR (海力士) 更新时间:2023-08-15 00:00:00
Hynix 海力士芯片生产商 源于韩国品牌英文缩写"HY"海力士为原来的现代内存,2001年更名为海力士.代表理事:权吾哲。海力士半导体在1983年以现代电子产业株式会社成立,在1996年正式在韩国上市,1999年收购LG半导体,2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团,成为专业的存储器制造商。海力士半导体是世界第二大DRAM制造商,也在整个半导体公司中占第九位。目前在韩国有4条8英寸晶圆生产线和一条12英寸生产线,在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线。2004年及2005年全球DRAM市场占有率处于第二位,中国市场占有率处于第一位. 目前在世界各地有销售法人和办事处,共有员工21000人(含海外员工). 海力士(Hynix)半导体作为无形的基础设施,通过半导体,竭尽全力为客户创造舒适的生活环境。目前,海力士半导体致力生产以DRAM和NAND Flash为主的半导体产品。
型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
HYM572A414ATN-60 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器内存集成电路 | EDO DRAM Module, 4MX72, CMOS, DIMM | ||
HY62EF16400SLM-100 | HYNIX | 获取价格 | 静态存储器 | Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48 | ||
H5TQ2G63BFR-G7I | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器双倍数据速率 | DDR DRAM, 128MX16, 0.3ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96 | ||
HYMR112818H-840 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器 | Rambus DRAM Module, 128MX18, CMOS, RIMM-184 | ||
HY5DU12822BLT-H | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器双倍数据速率光电二极管 | DDR DRAM, 64MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 | ||
HYMP512U72BP8-C4 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器双倍数据速率 | DDR DRAM Module, 128MX72, 0.5ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240 | ||
HY62U8400AP-55 | HYNIX | 获取价格 | 静态存储器光电二极管 | Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDIP32, 0.600 INCH, PLASTIC, DIP-32 | ||
GD75323(20SSOP) | HYNIX | 获取价格 | Line Driver/Receiver | |||
HYMP112U64AP8-S5 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器双倍数据速率 | DDR DRAM Module, 128MX64, 0.4ns, CMOS, ROHS COMPLIANT, DIMM-240 | ||
HYM564214AHG-80 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器 | EDO DRAM Module, 2MX64, 80ns, CMOS, DIMM-168 | ||
HYM5V72A400ATN-80 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器 | Fast Page DRAM Module, 4MX72, CMOS, DIMM | ||
HY6216100LLT2-85I | HYNIX | 获取价格 | ISM频段静态存储器光电二极管内存集成电路 | Standard SRAM, 64KX16, 85ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44 | ||
HYM7V75AS1601ATNG-10P | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器光电二极管 | Synchronous DRAM Module, 16MX72, 6ns, CMOS, PDMA168, DIMM-168 | ||
HY29F400BG-70I | HYNIX | 获取价格 | 光电二极管 | Flash, 256KX16, 70ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44 | ||
HY5PS1G821LM-Y6 | HYNIX | 获取价格 | 时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路 | DDR DRAM, 128MX8, CMOS, PBGA60, | ||
HYM564410ASLTNG-50 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器 | Fast Page DRAM Module, 4MX64, 50ns, CMOS, DIMM-168 | ||
HY62UF8100SLM-85I | HYNIX | 获取价格 | 静态存储器内存集成电路 | Standard SRAM, 128KX8, 85ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48 | ||
HY57V648021LTC-7 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器光电二极管内存集成电路 | Synchronous DRAM, 8MX8, CMOS, TSOP2 | ||
HY5DU1294022CLTC-80 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器双倍数据速率光电二极管 | DDR DRAM, 32MX4, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 | ||
HY62QF8400LLM-10I | HYNIX | 获取价格 | 静态存储器 | Standard SRAM, 512KX8, 100ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48 | ||
HYM584000DSLM-50 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器 | Fast Page DRAM Module, 4MX8, CMOS, SIMM-30 | ||
HYM5V64414CNG-70 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器光电二极管 | EDO DRAM Module, 4MX64, 70ns, CMOS, PDMA168, DIMM-168 | ||
HY62U8100BLLSR-I-10 | HYNIX | 获取价格 | 静态存储器光电二极管 | Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, REVERSE, STSOP1-32 | ||
HY62QF8100SLM-10 | HYNIX | 获取价格 | 静态存储器 | Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48 | ||
HY57V641620FLP-6 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器光电二极管 | Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE | ||
H5DU2562GTR-K3 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器双倍数据速率光电二极管 | DDR DRAM, 16MX16, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, TSOP2-6 | ||
HY27UG088G5M-TCP | HYNIX | 获取价格 | 光电二极管 | Flash, 1GX8, 25ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, PLASTIC, TSOP1-48 | ||
HY62UF16400LLM-100I | HYNIX | 获取价格 | 静态存储器 | Standard SRAM, 256KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48 | ||
HY5DU56822DLT-K | HYNIX | 获取价格 | 时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路 | DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 | ||
HY5V26FLFP-6 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器 | Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-54 |
HYNIX SEMICONDUCTOR (海力士) 热门型号