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HYNIX SEMICONDUCTOR (海力士) 更新时间：2023-08-15 00:00:00

Hynix 海力士芯片生产商源于韩国品牌英文缩写"HY"海力士为原来的现代内存,2001年更名为海力士.代表理事：权吾哲。海力士半导体在1983年以现代电子产业株式会社成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。海力士半导体是世界第二大DRAM制造商，也在整个半导体公司中占第九位。目前在韩国有4条8英寸晶圆生产线和一条12英寸生产线，在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线。2004年及2005年全球DRAM市场占有率处于第二位，中国市场占有率处于第一位. 目前在世界各地有销售法人和办事处，共有员工21000人（含海外员工）. 海力士（Hynix）半导体作为无形的基础设施，通过半导体，竭尽全力为客户创造舒适的生活环境。目前，海力士半导体致力生产以DRAM和NAND Flash为主的半导体产品。

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型号	品牌	价格	文档	应用	描述

HY5V52EM-H	HYNIX	获取价格		动态存储器	Synchronous DRAM, 8MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FB

HY5DV658022BTC-10	HYNIX	获取价格		动态存储器双倍数据速率光电二极管	DDR DRAM, 8MX8, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66

HY27UF162G2M-TCS	HYNIX	获取价格		光电二极管	Flash, 128MX16, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP1-48

HY5DU1298022ALTC-75	HYNIX	获取价格		动态存储器双倍数据速率光电二极管	DDR DRAM, 16MX8, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66

HY62SF16401ALLM-15	HYNIX	获取价格		静态存储器	Standard SRAM, 256KX16, 150ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48

H5TQ1G83DFR-PBL	HYNIX	获取价格		动态存储器双倍数据速率	DDR DRAM, 128MX8, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78

HY27SA161G1M-FIS	HYNIX	获取价格			Flash, 64MX16, 12000ns, PBGA63, 8.50 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63

HYM532410SLTN-70	HYNIX	获取价格		动态存储器内存集成电路	Fast Page DRAM Module, 4MX32, CMOS, SODIMM-72

HYM5V64400ASLTN-80	HYNIX	获取价格		动态存储器内存集成电路	Fast Page DRAM Module, 4MX64, CMOS, DIMM

HY51V65800SLTC-50	HYNIX	获取价格		动态存储器光电二极管	Fast Page DRAM, 8MX8, 50ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

HY27UF082G2B-TIB	HYNIX	获取价格		光电二极管	Flash, 256MX8, 20ns, PDSO48,

HYM564410ASLTN-70	HYNIX	获取价格		动态存储器	Fast Page DRAM Module, 4MX64, CMOS, DIMM

HY51V65400HGT-6	HYNIX	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	Fast Page DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32

HYM5321600AM-60	HYNIX	获取价格		动态存储器	Fast Page DRAM Module, 16MX32, 60ns, CMOS, PSMA72, SIMM-72

HY27US08121B-TPCS	HYNIX	获取价格		光电二极管	Flash, 64MX8, 18ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48

HY51V64400LJC-60	HYNIX	获取价格		动态存储器光电二极管内存集成电路	Fast Page DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32

GM71V16400CLT-7	HYNIX	获取价格		动态存储器光电二极管	Fast Page DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24

HY51V17400CSLR-70	HYNIX	获取价格		动态存储器光电二极管	Fast Page DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/24

HY67V32100AQ-4.5	HYNIX	获取价格		静态存储器	Standard SRAM, 32KX32, 4.5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

HY62U256BLR1-10I	HYNIX	获取价格		静态存储器光电二极管	Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, REVERSE, TSOP1-28

HY62U8200LLT1-E-10	HYNIX	获取价格		静态存储器光电二极管	Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 20 MM, TSOP1-32

HMS87C2348LQ	HYNIX	获取价格		可编程只读存储器微控制器	Microcontroller, 8-Bit, OTPROM, G80 CPU, 10MHz, CMOS, PQFP64, LQFP-64

HMT112U6AFP6C-S5	HYNIX	获取价格		动态存储器双倍数据速率	64M X 64 DDR DRAM MODULE, 20 ns, DMA204, LEAD FREE, UDIMM-204

H5TQ2G63DFR-H9L	HYNIX	获取价格		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路	DDR DRAM, 128MX16, 0.255ns, CMOS, PBGA96, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-96

HMT164S6AFR6C-G7T0	HYNIX	获取价格		动态存储器双倍数据速率光电二极管	DDR DRAM Module, 64MX64, 0.3ns, CMOS, PDMA204

HYMD512G7264M-L	HYNIX	获取价格		时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路	DDR DRAM Module, 128MX72, 0.8ns, CMOS, 5.250 X 1.200 X 0.150 INCH, DIMM-184

HYM540A814AM-70	HYNIX	获取价格		动态存储器	EDO DRAM Module, 8MX40, CMOS, SIMM-72

HY27UH088GDM-MCB	HYNIX	获取价格			Flash, 1GX8, 30ns, PBGA52, 12 X 17 MM, 1 MM HEIGHT, TLGA-52

HY514407BSLR-60	HYNIX	获取价格		动态存储器光电二极管	EDO DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/24

HY57W283220T-P	HYNIX	获取价格		时钟动态存储器光电二极管内存集成电路	Synchronous DRAM, 4MX32, 7ns, CMOS, PDSO86,