HYNIX SEMICONDUCTOR (海力士) 更新时间:2023-08-15 00:00:00
Hynix 海力士芯片生产商 源于韩国品牌英文缩写"HY"海力士为原来的现代内存,2001年更名为海力士.代表理事:权吾哲。海力士半导体在1983年以现代电子产业株式会社成立,在1996年正式在韩国上市,1999年收购LG半导体,2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团,成为专业的存储器制造商。海力士半导体是世界第二大DRAM制造商,也在整个半导体公司中占第九位。目前在韩国有4条8英寸晶圆生产线和一条12英寸生产线,在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线。2004年及2005年全球DRAM市场占有率处于第二位,中国市场占有率处于第一位. 目前在世界各地有销售法人和办事处,共有员工21000人(含海外员工). 海力士(Hynix)半导体作为无形的基础设施,通过半导体,竭尽全力为客户创造舒适的生活环境。目前,海力士半导体致力生产以DRAM和NAND Flash为主的半导体产品。
型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
HY5DU121622BLT-H | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器双倍数据速率光电二极管 | DDR DRAM, 32MX16, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 | ||
HY62UF16804A-DM85I | HYNIX | 获取价格 | 静态存储器 | Standard SRAM, 512KX16, 85ns, CMOS, PBGA48, MICRO, BGA-48 | ||
HY57V161610CLTC-10 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器光电二极管 | Synchronous DRAM, 1MX16, 8ns, CMOS, PDSO50, 0.400 X 0.825 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-50 | ||
HY5V26FF-5 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器 | Synchronous DRAM, 8MX16, 4.5ns, CMOS, PBGA54, 8 X 8 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-54 | ||
HY57V281620EST-7 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器光电二极管 | Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 | ||
HY51V16400CSLR-60 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器光电二极管 | Fast Page DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-26/24 | ||
HY29F400BG-55I | HYNIX | 获取价格 | 光电二极管内存集成电路 | Flash, 256KX16, 55ns, PDSO44, PLASTIC, SOP-44 | ||
HY27UK08BGFM-TIP | HYNIX | 获取价格 | 光电二极管 | Flash, 4GX8, 25000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 2.30 MM HEIGHT, PLASTIC, TSOP1-48 | ||
HY57V168010CTC-10 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器光电二极管 | Synchronous DRAM, 2MX8, 8ns, CMOS, PDSO44, 0.400 X 0.725 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-44 | ||
HY57V161610TC-10 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器 | Synchronous DRAM, 1MX16, CMOS, TSOP2 | ||
HY62UF16404E-DF50I | HYNIX | 获取价格 | 静态存储器 | Standard SRAM, 256KX16, 50ns, CMOS, PBGA48, FBGA-48 | ||
HY27SS08561A-SCS | HYNIX | 获取价格 | 光电二极管 | Flash, 32MX8, 35ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, USOP1-48 | ||
HY27UG084G2M-TPIB | HYNIX | 获取价格 | 光电二极管 | Flash, 512MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48 | ||
H5DU5162ETR-E3CR | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器双倍数据速率内存集成电路 | DDR DRAM, 32MX16, 0.7ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | ||
HYM7V75AS830ATHG-8 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器光电二极管 | Synchronous DRAM Module, 8MX72, 6ns, CMOS, PDMA168, DIMM-168 | ||
HYM7V64400TK-15 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器 | Synchronous DRAM Module, 4MX64, CMOS, DIMM-168 | ||
HY62UF8100CSLST-55 | HYNIX | 获取价格 | ISM频段静态存储器光电二极管内存集成电路 | Standard SRAM, 128KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32 | ||
HY27SA161G1M-TES | HYNIX | 获取价格 | 光电二极管 | Flash, 64MX16, 12000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, TSOP1-48 | ||
HY27SS08561A-TPIP | HYNIX | 获取价格 | 光电二极管 | Flash, 32MX8, 35ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48 | ||
HY57V641620FSTP-6 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器光电二极管 | Synchronous DRAM, 4MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE | ||
HYM7V64200BTRG-15 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器 | Synchronous DRAM Module, 2MX64, 9ns, CMOS, DIMM-168 | ||
HY57V283220T-SI | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器光电二极管 | Synchronous DRAM, 4MX32, 6ns, CMOS, PDSO86, 0.400 X 0.875 INCH, 0.50 MM PITCH, TSOP2-86 | ||
HY62V8200LLST-I-10 | HYNIX | 获取价格 | 静态存储器光电二极管 | Standard SRAM, 256KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32 | ||
HYM532400TN-60 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器内存集成电路 | Fast Page DRAM Module, 4MX32, CMOS, SODIMM-72 | ||
HY62U8100BLLR1-100 | HYNIX | 获取价格 | 静态存储器 | SRAM, | ||
HY29F800BT-15 | HYNIX | 获取价格 | 光电二极管 | Flash, 512KX16, 150ns, PDSO48 | ||
HY62UF8400ALLM-55 | HYNIX | 获取价格 | 静态存储器内存集成电路 | Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PBGA36, MICRO, BGA-36 | ||
HY57V658020ALTC-8 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器光电二极管 | Synchronous DRAM, 8MX8, 6ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 | ||
HY62QF16806A-SM10I | HYNIX | 获取价格 | 静态存储器内存集成电路 | Standard SRAM, 512KX16, 100ns, CMOS, PBGA48 | ||
HY27SA081G1M-TC | HYNIX | 获取价格 | 光电二极管 | Flash, 128MX8, 60ns, PDSO48 |
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