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HYM532400TN-60

更新时间: 2024-01-18 05:44:31
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海力士 - HYNIX 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
1页 78K
描述
Fast Page DRAM Module, 4MX32, CMOS, SODIMM-72

HYM532400TN-60 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:DMA
包装说明:,针数:72
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE其他特性:SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-XDMA-N72内存密度:134217728 bit
内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM MODULE内存宽度:32
功能数量:1端口数量:1
端子数量:72字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:ASYNCHRONOUS
组织:4MX32输出特性:3-STATE
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096自我刷新:YES
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS端子形式:NO LEAD
端子位置:DUAL

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