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HYM532404TNG-60

更新时间: 2024-01-27 20:24:48
品牌 Logo 应用领域
海力士 - HYNIX 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 230K
描述
EDO DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS

HYM532404TNG-60 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:,
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间:60 ns其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
备用内存宽度:16JESD-30 代码:R-XZMA-N72
内存密度:134217728 bit内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE
内存宽度:32功能数量:1
端口数量:1端子数量:72
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX32
输出特性:3-STATE封装主体材料:UNSPECIFIED
封装形状:RECTANGULAR封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:NO LEAD端子位置:ZIG-ZAG
Base Number Matches:1

HYM532404TNG-60 数据手册

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