生命周期: | Obsolete | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.84 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | FAST PAGE WITH EDO |
最长访问时间: | 60 ns | 其他特性: | RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH |
备用内存宽度: | 16 | JESD-30 代码: | R-XZMA-N72 |
内存密度: | 134217728 bit | 内存集成电路类型: | EDO DRAM MODULE |
内存宽度: | 32 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 72 |
字数: | 4194304 words | 字数代码: | 4000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 4MX32 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | UNSPECIFIED |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 4096 |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | NO |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子形式: | NO LEAD | 端子位置: | ZIG-ZAG |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
HYM532404TNG-80 | HYNIX | EDO DRAM Module, 4MX32, 80ns, CMOS |
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HYM532410AM-50 | HYNIX | Fast Page DRAM Module, 4MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72 |
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HYM532410AM-60 | HYNIX | Fast Page DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72 |
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HYM532410AM-70 | HYNIX | Fast Page DRAM Module, 4MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72 |
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HYM532410AMG-50 | ETC | x32 Fast Page Mode DRAM Module |
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HYM532410AMG-60 | ETC | x32 Fast Page Mode DRAM Module |
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