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HYM532410ATM-50

更新时间： 2024-01-27 03:44:02

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海力士 - HYNIX		动态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
10页	303K
描述
Fast Page DRAM Module, 4MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72

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HYM532410ATM-50 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SIMM
包装说明：	SIMM, SSIM72	针数：	72
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	50 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-XSMA-N72	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM MODULE	内存宽度：	32
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	72	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX32	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装代码：	SIMM
封装等效代码：	SSIM72	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	MICROELECTRONIC ASSEMBLY	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	2048
座面最大高度：	25.4 mm	自我刷新：	NO
最大待机电流：	0.008 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	1.16 mA	最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	5 V
表面贴装：	NO	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	NO LEAD
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	SINGLE
Base Number Matches：	1

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
HYM532410ATM-60	HYNIX	Fast Page DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72	获取价格
HYM532410ATM-70	HYNIX	Fast Page DRAM Module, 4MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72	获取价格
HYM532410ATMG-50	HYNIX	Fast Page DRAM Module, 4MX32, 50ns, CMOS, SIMM-72	获取价格
HYM532410ATMG-60	HYNIX	Fast Page DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72	获取价格
HYM532410ATMG-70	HYNIX	Fast Page DRAM Module, 4MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72	获取价格
HYM532410CM-50	ETC	x32 Fast Page Mode DRAM Module	获取价格