HYNIX SEMICONDUCTOR (海力士) 更新时间:2023-11-13 20:13:11
Hynix 海力士芯片生产商 源于韩国品牌英文缩写"HY"海力士为原来的现代内存,2001年更名为海力士.代表理事:权吾哲。海力士半导体在1983年以现代电子产业株式会社成立,在1996年正式在韩国上市,1999年收购LG半导体,2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团,成为专业的存储器制造商。海力士半导体是世界第二大DRAM制造商,也在整个半导体公司中占第九位。目前在韩国有4条8英寸晶圆生产线和一条12英寸生产线,在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线。2004年及2005年全球DRAM市场占有率处于第二位,中国市场占有率处于第一位. 目前在世界各地有销售法人和办事处,共有员工21000人(含海外员工). 海力士(Hynix)半导体作为无形的基础设施,通过半导体,竭尽全力为客户创造舒适的生活环境。目前,海力士半导体致力生产以DRAM和NAND Flash为主的半导体产品。
型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
HY62V256LT1-12I | HYNIX | 获取价格 | ISM频段静态存储器光电二极管内存集成电路 | Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 | ||
HY51V64800LTC-70 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器光电二极管 | Fast Page DRAM, 8MX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32 | ||
HYMP125U64L8-C5 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器双倍数据速率光电二极管 | DDR DRAM Module, 256MX64, 0.5ns, CMOS, PDMA240 | ||
HY27US08121M-VPES | HYNIX | 获取价格 | 光电二极管 | Flash, 64MX8, 12000ns, PDSO48, 17 X 12 MM, 0.70 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, WSOP1-48 | ||
HY29LV800BF-55 | HYNIX | 获取价格 | Flash, 512KX16, 55ns, PBGA48, 6 X 8 MM, FBGA-48 | |||
HY27UF082G2B-TIP | HYNIX | 获取价格 | 光电二极管 | Flash, 256MX8, 20ns, PDSO48, | ||
HY5DU56822DLT-H | HYNIX | 获取价格 | 时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路 | DDR DRAM, 32MX8, 0.75ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 | ||
HY62V256BT1-12I | HYNIX | 获取价格 | 静态存储器 | Standard SRAM, 32KX8, 120ns, CMOS | ||
HY51V64160JC-50 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器光电二极管 | EDO DRAM, 8MX8, CMOS, PDSO50, 0.400 INCH, SOJ-50 | ||
HY27US08121B-SPIP | HYNIX | 获取价格 | 光电二极管 | Flash, 64MX8, 18ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, LEAD FREE, USOP1-48 | ||
HYM564204ATR-60 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器内存集成电路 | EDO DRAM Module, 2MX64, CMOS, DIMM | ||
H5DU2562GFR-K2J | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器双倍数据速率 | DDR DRAM, 16MX16, 0.75ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | ||
HM6F5201(24LGA) | HYNIX | 获取价格 | PLL/Frequency Synthesis Circuit, CMOS, PQCC24 | |||
HY5DU12822BLTP-J | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器双倍数据速率光电二极管 | DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, T | ||
H5TQ1G83EFR-TEL | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器双倍数据速率内存集成电路 | DDR DRAM, 128MX8, CMOS, PBGA78, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-78 | ||
HYM572A400ASLTNG-60 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器内存集成电路 | Fast Page DRAM Module, 4MX72, 60ns, CMOS, DIMM-168 | ||
HY27SS16561M-FEB | HYNIX | 获取价格 | Flash, 16MX16, 10000ns, PBGA63, 11 X 9 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63 | |||
HY27UA081G1M-VC | HYNIX | 获取价格 | 光电二极管 | Flash, 128MX8, 35ns, PDSO48 | ||
H5PS5182FFP-Y5 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器双倍数据速率 | DDR DRAM, 64MX8, 0.45ns, CMOS, PBGA60, ROHS COMPLIANT, FBGA-60 | ||
HY5DU281622FTP-4I | HYNIX | 获取价格 | 时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路 | DDR DRAM, 8MX16, 0.6ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, T | ||
HY5116160SLTC-100 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器ISM频段光电二极管内存集成电路 | Fast Page DRAM, 1MX16, 100ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44 | ||
HMT112U6AFR6C-G8 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器双倍数据速率 | 64M X 64 DDR DRAM MODULE, 20 ns, DMA204, HALOGEN FREE, UDIMM-204 | ||
HY5DU12422CLTP-D43 | HYNIX | 获取价格 | 时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路 | DDR DRAM, 128MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 PITCH, ROHS COMPLIANT, TSO | ||
HY5DU1298022ALTC-80 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器双倍数据速率光电二极管 | DDR DRAM, 16MX8, CMOS, PDSO66, 0.400 X 0.875 INCH, 0.65 MM PITCH, TSOP2-66 | ||
HY62EF16100CSLF-10 | HYNIX | 获取价格 | 静态存储器 | Standard SRAM, 64KX16, 100ns, CMOS, PBGA48, FINE PITCH, BGA-48 | ||
HY57V281620ESTP-HI | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器光电二极管 | Synchronous DRAM, 8MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE | ||
HY27US081G1MSPMB | HYNIX | 获取价格 | 光电二极管 | Flash, 128MX8, 45ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, USOP1-48 | ||
HY27SA081G1M-TPES | HYNIX | 获取价格 | 光电二极管 | Flash, 128MX8, 12000ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TSOP1-48 | ||
HYM5V64124ASLX-70 | HYNIX | 获取价格 | 动态存储器 | EDO DRAM Module, 1MX64, CMOS, DIMM | ||
HY57V28820HDT-H | HYNIX | 获取价格 | 时钟动态存储器光电二极管内存集成电路 | Synchronous DRAM, 16MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 X 0.875 INCH, 0.80 MM PITCH, TSOP2-54 |
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