FUJI ELECTRIC (富士电机) 更新时间：2023-12-21 12:16:43
富士电机自1923年成立以来，在这100年的漫长历史中，不断革新能源和环境技术，在产业和社会领域中为世界作出巨大贡献。中国和富士电机的渊源由来已久，可追溯至1965年在四川省射洪县引进中国的首例阀门水轮发电机。 如今的国际社会中，在致力于可持续发展目标SDGs和温室效应对策的同时，我们还面临着平衡经济增长与解决社会环境问题这一重要挑战。即便是已经拥有全球性经济规模，每年保持快速增长的中国，也日益重视如何构建一个环保和节能双赢的和谐社会这一课题。 富士电机（中国）依托创业以来积累的技术和经验，追求电力、热能技术的革新，通过能够高效利用能源的高附加值环保型产品，为中国社会的发展贡献自身的力量。
| 型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
| 2MBI450VN-120-50 | FUJI | 获取价格 |  |
晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网 | IGBT MODULE | |
| 2MBI225VJ-120-50 | FUJI | 获取价格 | |
晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网 | IGBT MODULE | |
| 1MBI3600U4D-170 | FUJI | 获取价格 | |
双极性晶体管 | IGBT MODULE | |
| 1MBH10D-120_09 | FUJI | 获取价格 | |
1200V / 10A Molded Package | ||
| 1MB10-120_01 | FUJI | 获取价格 | |
1200V / 10A Molded Package | ||
| YG801C09 | FUJI | 获取价格 | |
整流二极管肖特基二极管局域网 | SCHOTTKY BARRIER DIODE | |
| FGW50N60VD | FUJI | 获取价格 | |
双极性晶体管 | Discrete IGBT (High-Speed V series) 600V / 50A | |
| FGW40N120VD | FUJI | 获取价格 | |
双极性晶体管 | Discrete IGBT (High-Speed V series) 1200V / 40A | |
| FGW40N120HD | FUJI | 获取价格 | |
双极性晶体管 | Discrete IGBT (High-Speed V series) 1200V / 40A | |
| FGW30N120H | FUJI | 获取价格 | |
双极性晶体管 | Discrete IGBT (High-Speed V series) 1200V / 30A | |
| FGW15N120HD | FUJI | 获取价格 | |
双极性晶体管 | Discrete IGBT (High-Speed V series) 1200V / 15A | |
| FMV16N50E | FUJI | 获取价格 | |
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
| YG862C12R | FUJI | 获取价格 | |
二极管 | High Voltage Schottky barrier diode | |
| YG801C10R | FUJI | 获取价格 | |
整流二极管肖特基二极管局域网 | SCHOTTKY BARRIER DIODE | |
| YA865C08R | FUJI | 获取价格 | |
肖特基二极管 | Schottky Barrier Diode | |
| YA862C06R | FUJI | 获取价格 | |
整流二极管局域网 | Low IR Schottky barrier diode | |
| MS865C04 | FUJI | 获取价格 | |
整流二极管光电二极管 | Low IR Schottky Barrier Diode | |
| MP2B5150 | FUJI | 获取价格 | |
A multi chip power device for a Multi-Oscillated Current Resonant type Converter | ||
| MP2B5038 | FUJI | 获取价格 | |
A multi chip power device for a Multi-Oscillated Current Resonant type Converter | ||
| FMP16N50ES | FUJI | 获取价格 | |
晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网 | N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | |
| FMH20N50ES | FUJI | 获取价格 | |
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET | ||
| FUJI | FUJI | 获取价格 | |
(日本富士)型号列表2012.12版 | ||
| KS986S4 | FUJI | 获取价格 | |
整流二极管快速恢复二极管 | Low-Loss Fast Recovery Diode | |
| KS986S3 | FUJI | 获取价格 | |
二极管快速恢复二极管 | Low-Loss Fast Recovery Diode | |
| KS926S2_07 | FUJI | 获取价格 | |
瞄准线 | LOW LOSS SUPER HIGH SPEED RECTIFIER | |
| KS883C02 | FUJI | 获取价格 | |
整流二极管肖特基二极管 | SCHOTTKY BARRIER DIODE | |
| KS826S04_01 | FUJI | 获取价格 | |
肖特基二极管 | SCHOTTKY BARRIER DIODE | |
| KS823C09 | FUJI | 获取价格 | |
整流二极管肖特基二极管 | SCHOTTKY BARRIER DIODE | |
| KS823C04_01 | FUJI | 获取价格 | |
肖特基二极管 | SCHOTTKY BARRIER DIODE | |
| KS823C03 | FUJI | 获取价格 | |
整流二极管肖特基二极管 | SCHOTTKY BARRIER DIODE | |
FUJI ELECTRIC (富士电机) 热门型号
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