KS986S4

更新时间： 2024-11-16 11:31:39

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富士电机 - FUJI		整流二极管快速恢复二极管
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描述
Low-Loss Fast Recovery Diode

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KS986S4 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	R-PSSO-G2
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.76	应用：	FAST RECOVERY
外壳连接：	CATHODE	配置：	SINGLE
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	最大非重复峰值正向电流：	80 A
元件数量：	1	相数：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
最大重复峰值反向电压：	400 V	最大反向恢复时间：	50 µs
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	Base Number Matches：	1

KS986S4 数据手册

http://www.fujisemi.com

FUJI Diode

KS986S4

Low-Loss Fast Recovery Diode

Maximum Rating and Characteristics

Maximum ratings (at Ta=25˚C unless otherwise speciﬁed.)

Item

Symbols

Conditions

Ratings

Units

Repetitive peak reverse voltage

RRM

400

50Hz Square wave duty =1/2

Tc = 125˚C

Average forward current

FAV

Non-repetitive surge current

Operating junction temperature

Storage temperature

FSM

Sine wave, 10ms 1shot

-40 to +150

˚C

Tstg

Electrical characteristics (at Ta=25˚C unless otherwise speciﬁed.)

Item

Symbols

Conditions

Maximum

Units

Forward voltage

= 5 A

1.45

Reverse current

=VRRM

μA

Reverse recovery time

Thermal resistance

trr

= 0.1A, I

= 0.2A, Irec = 0.05A

μs

Rth(j-c)

Junction to case

3.5

˚C/W

Mechanical characteristics

Item

Conditions

Maximum

Units

Approximate mass

0.6

12 3 4 5 6

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