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PN4392

更新时间： 2024-02-13 14:02:58

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	40K
描述
N-channel silicon field-effect transistors

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PN4392 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.04	配置：	SINGLE
最大漏源导通电阻：	60 Ω	FET 技术：	JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：	3.5 pF	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN (315)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PN4392 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

N-channel silicon ﬁeld-effect transistors

PN4391 to 4393

PACKAGE OUTLINE

Plastic single-ended leaded (through hole) package; 3 leads

SOT54

2.5

5 mm

scale

DIMENSIONS (mm are the original dimensions)

(1)

UNIT

5.2

5.0

0.48

0.40

0.66

0.56

0.45

0.40

4.8

4.4

1.7

1.4

4.2

3.6

14.5

12.7

2.54

1.27

2.5

Note

1. Terminal dimensions within this zone are uncontrolled to allow for flow of plastic and terminal irregularities.

REFERENCES

OUTLINE

EUROPEAN

PROJECTION

ISSUE DATE

VERSION

IEC

JEDEC

EIAJ

97-02-28

SOT54

TO-92

SC-43

April 1989

1 2 3 456

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