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PN4392

更新时间： 2024-01-17 01:24:17

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恩智浦 - NXP		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	40K
描述
N-channel silicon field-effect transistors

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PN4392 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	Reach Compliance Code：	not_compliant
风险等级：	5.04	配置：	SINGLE
最大漏源导通电阻：	60 Ω	FET 技术：	JUNCTION
最大反馈电容 (Crss)：	3.5 pF	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	MATTE TIN (315)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

PN4392 数据手册

Philips Semiconductors

Product speciﬁcation

N-channel silicon ﬁeld-effect transistors

PN4391 to 4393

DYNAMIC CHARACTERISTICS

T_j= 25 °C unless otherwise speciﬁed

PN4391 PN4392 PN4393

Drain-source on-resistance

_DS= 0 V; V_GS= 0; f = 1 kHz; T_a= 25 °C

R_{DS on}

max.

100 Ω

Input capacitance

V_DS= 20 V; V_GS= 0; f = 1 MHz; T_a= 25 °C

Feedback capacitance

C_iss

16 pF

_DS= 0; −V_GS= 12 V

V_DS= 0; −V_GS= 7 V

_DS= 0; −V_GS= 5 V

C_rss

max.

f = 1 MHz

5 pF

Switching times

test conditions

V_DD= 10 V; V_GS= 0 to V_{GS off}

I_D

750

6.0

7.0

1550

3.0 mA

5.0 V

−V_{GS off}

R_L

t_r

3150 Ω

5 ns

Rise time

max.

Turn-on time

Fall time

t_on

t_f

15 ns

30 ns

50 ns

Turn-off time

t_off

= 0 V

10%

90%

1 µF

k, halfpage

50 Ω

10 µF

10 nF

−V

GS off

SAMPLING

SCOPE

50 Ω

off

DUT

50 Ω

90%

10%

MBK289

MBK288

Fig.2 Switching times test circuit.

Fig.3 Input and output waveforms.

April 1989

1 2 345 6

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