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PN4302_L99Z PDF预览

PN4302_L99Z

更新时间： 2024-01-30 07:50:57
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 24K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET, TO-92, LEAD FREE, TO-92, 3 PIN

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PN4302_L99Z 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.76
配置：SINGLEFET 技术：JUNCTION
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

PN4302_L99Z 数据手册

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PN4302  
N-Channel General Purpose Amplifier  
•
This device is designed primarily for low level audio and general  
purpose applications with high impedance signal sources.  
Sourced from process 52.  
•
TO-92  
1. Drain 2. Source 3. Gate  
1
Absolute Maximum Ratings* T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Ratings  
30  
Units  
V
V
Drain-Gate Voltage  
Gate-Source Voltage  
Forward Gate Current  
V
V
DG  
GS  
-30  
I
50  
mA  
°C  
GF  
T , T  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
-55 ~ 150  
J
STG  
* This ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
NOTES:  
1) These rating are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.  
2) These are steady limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Max.  
Units  
Off Characteristics  
V
Gate-Source Breakdwon Voltage  
Gate Reverse Current  
I
= -1.0µA, V = 0  
-30  
V
nA  
V
(BR)GSS  
GSS  
G
DS  
I
V
V
= -10V, V = 0  
-1.0  
-4.0  
GS  
DS  
DS  
V
Gate-Source Cutoff Voltage  
= 20V, I = 1.0nA  
D
GS(off)  
On Characteristics  
Zero-Gate Voltage Drain Current *  
I
V
= -15V, V = 0  
0.5  
5.0  
mA  
DSS  
DS  
GS  
Thermal Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Max.  
Units  
P
Total Device Dissipation  
Derate above 25°C  
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
D
R
R
Thermal Resistance, Junction to Case  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
125  
357  
°C/W  
°C/W  
θJC  
θJA  
©2004 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A, April 2004  
123

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