5秒后页面跳转
PN2906A PDF预览

PN2906A

更新时间: 2024-01-11 08:16:38
品牌 Logo 应用领域
罗姆 - ROHM 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
1页 141K
描述
Transistor

PN2906A 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:unknown
风险等级:5.48最大集电极电流 (IC):0.8 A
基于收集器的最大容量:8 pF集电极-发射极最大电压:60 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):40
JEDEC-95代码:TO-92JESD-30 代码:O-PBCY-W3
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:140 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:ROUND封装形式:CYLINDRICAL
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.6 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:BOTTOM晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):200 MHzBase Number Matches:1

PN2906A 数据手册

  

与PN2906A相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PN2906ALEADFREE CENTRAL

获取价格

Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
PN2906ATRELEADFREE CENTRAL

获取价格

Transistor
PN2906ATREPBFREE CENTRAL

获取价格

Transistor,
PN2906ATRETIN/LEAD CENTRAL

获取价格

Transistor
PN2906TRELEADFREE CENTRAL

获取价格

Transistor
PN2907 FAIRCHILD

获取价格

PNP General Purpose Amplifier
PN2907 MICRO-ELECTRONICS

获取价格

PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS
PN2907 NXP

获取价格

PNP switching transistor
PN2907 CENTRAL

获取价格

PNP SILICON TRANSISTOR
PN2907 DCCOM

获取价格

TECHNICAL SPECIFICATIONS OF PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR