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PN2907

更新时间： 2024-02-27 07:48:19
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3页 176K
描述
PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS

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PN2907 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：ActiveReach Compliance Code：not_compliant
风险等级：5.66基于收集器的最大容量：8 pF
集电极-发射极最大电压：60 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：100JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子面层：TIN LEAD
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
最大关闭时间（toff）：100 nsVCEsat-Max：1.6 V
Base Number Matches：1

PN2907 数据手册

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Transys  
Electronics  
L
I M I T E D  
PNP SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS  
PN2907  
PN2907A  
TO-92  
Plastic Package  
C
B
E
Complementary Silicon Transistors for Switching and Linear Applications.  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25 º C unless specified otherwise)  
DESCRIPTION  
SYMBOL  
PN2907  
PN2907A  
UNITS  
VCEO  
Collector Emitter Voltage  
Collector Base Voltage  
Emitter Base Voltage  
Collector Current Continuous  
Power Dissipation@ Ta=25 º C  
Derate Above 25 º C  
Power Dissipation@ Tc=25 º C  
Derate Above 25 º C  
Operating And Storage Junction  
Temperature Range  
40  
60  
5
60  
60  
5
V
V
VCBO  
VEBO  
IC  
V
mA  
mW  
mW/ º C  
W
mW/ º C  
º C  
600  
625  
PD  
5.0  
PD  
1.5  
12  
Tj, Tstg  
-55 to +150  
THERMAL RESISTANCE  
Junction to ambient  
Junction to case  
Rth(j-a)  
Rth(j-c)  
200  
83.3  
º C/W  
º C/W  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 º C Unless Specified Otherwise)  
DESCRIPTION  
SYMBOL TEST CONDITION  
PN2907  
>40  
>60  
>5  
<20  
PN2907A  
>60  
UNITS  
BVCEO  
BVCBO  
BVEBO  
ICBO  
IC=10mA,IB=0  
IC=10µA,IE=0  
IE=10µA, IC=0  
VCB=50V, IE = 0  
Collector Emitter Voltage  
Collector Base Voltage  
Emitter Base Voltage  
Collector Cut off Current  
V
V
>60  
>5  
<10  
V
nA  
Ta= 150 º C  
VCB=50V, IE = 0  
µA  
nA  
nA  
nA  
nA  
<20  
<50  
<10  
<10  
<50  
>35  
>50  
>75  
100-300  
>30  
<10  
<50  
<10  
<10  
<50  
ICEX  
ICEO  
IEBO  
IBEX  
hFE  
VCE =30V, VEB=0.5V  
VCE=10V, IB = 0  
VEB=3V, IC = 0  
VCE =30V, VEB=0.5V  
VCE=10V,IC=0.1mA  
VCE=10V,IC=1mA  
VCE=10V,IC=10mA  
VCE=10V*,IC=150mA  
VCE=10V*,IC=500mA  
Emitter Cut off Current  
Base Cut off Current  
DC Current Gain  
>75  
>100  
>100  
100-300  
>50  
123

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
PN2907/A ETC

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 		PNP Switching Transistors
PN2907/D10Z TI

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PN2907/D10Z-18 TI

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